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VHF-CCP 설비에서 Ar/SF6 플라즈마 분포가 Si 식각 균일도에 미치는 영향 분석
Analysis of Si Etch Uniformity of Very High Frequency Driven - Capacitively Coupled Ar/SF6 Plasmas
원문보기
반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.20 no.4, 2021년, pp.72 - 77
임성재 (서울대학교 에너지시스템공학부) , 이인규 (서울대학교 에너지시스템공학부) , 이하늘 (서울대학교 에너지시스템공학부) , 손성현 (서울대학교 에너지시스템공학부) , 김곤호 (서울대학교 에너지시스템공학부)
Abstract
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The radial distribution of etch rate was analyzed using the ion energy flux model in VHF-CCP. In order to exclude the effects of polymer passivation and F radical depletion on the etching. The experiment was performed in Ar/SF6 plasma with an SF6 molar ratio of 80% of operating pressure 10 and 20 mT...
주제어
참고문헌 (15)
-
Vincent M. Donnelly, and Avinoam Kornblit., "Plasma etching: Yesterday, today, and tomorrow," J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 31, 050825, (2013).
-
Michael A. Lieberman and Allan J. Lichtenberg., Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, WILEY, pp. 327-386, 424-494 (2005).
-
M A Lieberman, J P Booth, P Chabert, J M Rax, and M M Turner., "Standing wave and skin effects in large-area, high frequency capacitive discharges," Plasma Sources Sci. Technol, Vol. 11, pp. 283-293, (2002)
-
P Chabert., "Electromagnetic effects in high-frequency capacitive discharges used for plasma processing," J. Phys. D: Appl. Phys, Vol. 40 pp. 63-73 (2007)
-
Konstantinos P. Giapis, Geoffrey R. Scheller, Richard A. Gottscho, William S. Hobson, and Yong H. Lee, "Microscopic and macroscopic uniformity control in plasma etching.," Appl. Phys. Lett, Vol. 57 pp. 983-985 (1990)
-
Banqiu Wu, Ajay Kumar, and Sharma Pamarthy, "High aspect ratio silicon etch: A review," J. Appl. Phys, Vol. 108, 051101 (2010)
-
Chris G N Lee, Keren J Kanarik and Richard A Gottoscho, "The grand challenges of plasma etching: a manufacturing perspective," J. Phys. D: Allp. Phys, Vol. 47, 273001 (2014)
-
J. Ding, J.S. Jenq, G.H. Kim, L. Maynard, J. S. Hamers, N. Hershkowitz and J. W. Taylor, "Etching rate characterization of SiO2 and Si using ion energy flux and atomic fluorine density in a CF4/O2/Ar electron cyclotron resonance plasma," J. Appl. Sci. Technol. A. Vol. 11, pp 1283-1288 (1993)
-
I G Kouznetsov, A J Lichtenberg, and M A. Lieberman, "Modelling electronegative discharges at low pressure," Plasma Sources Sci. Technol., Vol. 5, pp. 662-676, (1996)
-
Barbara Abraham-Shrauner and Chungdar Daniel Wang, "Model of etching profiles for ion energy flux dependent etch rates in a collisionless plasma sheath," J. Appl. Phys., Vol. 77 pp. 3445-3449, (1994)
-
Pascal Chabert and Nicholas Braithwaite, Physics of Radio-Frequency Plasmas, CAMBRIDGE, pp40-41, (2011)
-
L Lallement, A Rhallabi, C Cardinaud, M C Peignon-Fernandez and L L Alves, "Global model and diagnostic of a low-pressure SF6/Ar inductively coupled plasma," Plasma Sources Sci. Technol. Vol. 18, 025001 (2009)
-
Shahid Rauf, Kallol Bera and Ken Collins, "Self-consistent simulation of very high frequency capacitively coupled plasmas," Plasma Sources Sci. Technol. Vol. 17, 035003 (2008)
-
Yun Chang Jang, Seol Hye Park, Sang Min Jeong, Sang Won Ryu and Gon Ho Kim, "Role of Features in Plasma Information Based Virtual Metrology(PI-VM) for SiO2 Etching Depth," J of the Semiconductor & Display Technology, Vol. 18, pp 30-34 (2019)
-
Jiwon Kwon, Sangwon Ryu, Jihoon Park, Haneul Lee, Yunchang Jang, Seolhye Park and Gon Ho Kim, "Development of Virtual Metrology Using Plasma Information Variables to Predict Si Etch Profile Processed by SF 6 /O 2 /Ar Capacitively Coupled Plasma," Materials, Vol. 14, 3005 (2021).
저자의 다른 논문 :
- [본원] 대전광역시 유성구 대학로 245 한국과학기술정보연구원
- [분원] 서울시 동대문구 회기로 66 한국과학기술정보연구원
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