[논문]원격 플라즈마 중합된 메틸메타크릴레이트 필름의 분광학적 분석

서문규

doi:10.14478/ace.2020.1104

원격 플라즈마 중합된 메틸메타크릴레이트 필름의 분광학적 분석
Spectroscopic Analysis of the Remote-plasma-polymerized Methyl Methacrylate Film 원문보기

공업화학 = Applied chemistry for engineering, v.32 no.1, 2021년, pp.49 - 54

초록
AI-Helper

메틸 메타크릴레이트 분자를 전구체로 사용하여 원격 플라즈마 방식으로 중합체를 합성하는 반응에서 플라즈마 출력, 반응 압력 및 직접-간접 플라즈마 방식이 필름의 성장속도 및 화학결합 구조에 미치는 영향을 조사하였으며, FT-IR, XPS 등 분광학적 분석과 Langmvir 탐침을 사용한 플라즈마 특성 진단 결과와 함께 고찰하였다. 플라즈마 출력과 반응 압력이 증가하면 성장속도가 증가하지만 특정 영역을 넘어서면 식각 효과와 잦은 충돌로 인해 활성화 효율이 낮아져 다시 감소하였다. 중합 필름의 FT-IR과 XPS 분석 결과, 필름 내 탄소/산소 조성비는 플라즈마 출력이 커질수록 증가하였으며, 탄화수소성 C-C 탄소 조성비는 증가하는 반면 에스터성 COO 탄소 조성비는 감소하였다. 직접 플라즈마법이 간접 플라즈마법에 비해 필름의 성장속도는 2~5배 빠르지만, 전구체의 분자 구조를 유지하기 위해서는 간접 플라즈마법이 유리함을 확인하였다.

Abstract ▼ AI-Helper

Plasma-polymerized methyl methacrylate (MMA) thin films were synthesized by remote plasma, and effects of plasma power, reaction pressure and direct-indirect plasma on the growth rate and chemical bonding were investigated with alpha-step, FT-IR, XPS and Langmüir probe method. As the plasma power and pressure increased, the tendency of growth rate showed maximum value at a certain range. FT-IR and XPS analyses revealed that composition ratio of C/O and hydrocarbon (C-C) % in the deposited films increased with plasma power, but ester (COO) C % decreased with it. Direct plasma method was effective for fast growth rate, but indirect plasma method was favorable for maintaining the chemical structure of MMA.

주제어

표/그림 (9)

그림 Figure 1. Schematic diagram of the remote plasma apparatus.
그림 Figure 2. Growth rate of the plasma-polymerized MMA films synthesized at various plasma powers.
그림 Figure 3. Growth rate of the plasma-polymerized MMA films synthesized at various reaction pressures.
그림 Figure 4. FT-IR spectra of the films synthesized at various plasma powers (insert: FT-IR spectrum of MMA).
그림 Figure 5. Peak intensity ratios calculated with FT-IR data of Figure 4.
그림 Figure 6. Atomic composition of the films deposited at various plasma powers.
그림 Figure 7. XPS C_1s spectra of the films deposited at various plasma powers (insert: example of curve fitting simulation result of 20 W).
그림 Figure 8. Peak simulation % calculated with XPS C_1s spectra of Figure 7.
그림 Figure 9. I-V curves obtained with Langmuir probe at various plasma powers. Insert (1): T_e & n_e in various plasma powers. Insert (2): T_e & n_e in various reaction pressures.

AI 본문요약
AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

또한 플라즈마의 특성 진단에 유용한 Langmuir 탐침을 이용해 플라즈마 반응 조건에 따른 전자밀도와 전자온도 등을 구하여, 실험결과와 결부시켜 해석하였다. 이를 통해 플라즈마 주요 변수를 조절하여 원하는 화학결합 구조를 갖는 플라즈마 중합체 생성 가능성을 정량적인 분광학적 분석으로 확인하고자 한다.
이는 앞에서 언급했던 W/FM 인자로 설명할 수 있는데, 압력이 증가하면 기상에 존재하는 전구체의 농도가 증가하여 성장속도가 빨라지는 요인과, 일정한 플라즈마 출력 에너지를 흡수하는 전구체 분자수가 증가하여 분자당 활성화 효율이 떨어져 성장속도가 감소하는 요인이 서로 상반된 영향을 미치기 때문이다. 이처럼 플라즈마 반응 조건이 성장 속도에 미치는 영향은 본 연구 뒷부분의 Langmuir 탐침 분석 결과와 연계하여 다시 살펴보기로 하겠다.

제안 방법

MMA 분자를 전구체로 사용하여 원격 플라즈마 방식으로 중합체를 합성하는 반응에서 플라즈마 출력, 반응 압력 및 직접-간접 플라즈마 방법의 영향을 조사하여 다음과 같은 결론을 얻었다.
그러나 플라즈마 글로우는 압력이 낮은 경우 반응기 전체에 넓게 퍼지므로 위와 같은 방식만으로는 MMA 분자가 플라즈마 글로우 영역에서 벗어날 수 없다. 따라서 간접 플라즈마 조건으로 실험하는 경우에는 플라즈마 코일과 기판 위치의 가운데(코일보다 5 cm 뒤쪽 위치)에 스테인리스 철망(메쉬 # 40)을 설치하고 접지하여 플라즈마 글로우가 철망 바깥쪽으로 퍼져 나오지 않게 하였으며, 기판은 접지 철망보다 5 cm 뒤쪽(플라즈마 코일로부터 10 cm)에 위치하게 하였다. 중합체 증착용 기판으로는 Si(100) 기판을 사용하였다.
중합된 필름을 FT-IR과 XPS로 분석하고 검출되는 주요 피크의 강도를 상대적으로 비교하여, 주요 플라즈마 반응 조건(출력과 압력)이 합성된 필름의 화학결합 구조에 미치는 영향을 정량적으로 분석하였다. 또한 플라즈마의 특성 진단에 유용한 Langmuir 탐침을 이용해 플라즈마 반응 조건에 따른 전자밀도와 전자온도 등을 구하여, 실험결과와 결부시켜 해석하였다. 이를 통해 플라즈마 주요 변수를 조절하여 원하는 화학결합 구조를 갖는 플라즈마 중합체 생성 가능성을 정량적인 분광학적 분석으로 확인하고자 한다.
반응 기체로는 플라즈마 발생을 돕는 아르곤과 중합 물질의 전구체로 MMA를 공급하였다. Figure 1에 나타내었듯이, 아르곤은 플라즈마발생 코일보다 기체 흐름 앞쪽(upstream)으로 공급하여 플라즈마 영역을 지나면서 플라즈마 에너지를 흡수하여 활성화된 후, MMA 분자와의 충돌을 통해 에너지를 전달하도록 하였다.
아르곤과 전구체 MMA 의 유량은 4 : 1로 공급하였다. 반응기 총 압력은 13.3~133 Pa (100~ 1000 mtorr)로, 플라즈마 출력은 20~150 W로 변화시켜 그 영향을 조사하였으며, 반응시간은 모두 30 min으로 동일하게 실험하였다.
본 연구에서는 MMA를 전구체로 사용하여 원격 플라즈마 화학 기상 증착법 방식으로 MMA 중합체 필름을 합성하였다. 중합된 필름을 FT-IR과 XPS로 분석하고 검출되는 주요 피크의 강도를 상대적으로 비교하여, 주요 플라즈마 반응 조건(출력과 압력)이 합성된 필름의 화학결합 구조에 미치는 영향을 정량적으로 분석하였다.
나타내었다. 아르곤 : MMA 혼합비 4 : 1, 반응 압력 53.2 Pa (400 mtorr), 반응시간 30 분으로 일정한 조건에서 플라즈마 출력을 20, 40, 70, 100, 150 W로 변화시켜 실험하였으며, 증착한 필름의 두께를 α-step으로 측정하였다.
방식으로 MMA 중합체 필름을 합성하였다. 중합된 필름을 FT-IR과 XPS로 분석하고 검출되는 주요 피크의 강도를 상대적으로 비교하여, 주요 플라즈마 반응 조건(출력과 압력)이 합성된 필름의 화학결합 구조에 미치는 영향을 정량적으로 분석하였다. 또한 플라즈마의 특성 진단에 유용한 Langmuir 탐침을 이용해 플라즈마 반응 조건에 따른 전자밀도와 전자온도 등을 구하여, 실험결과와 결부시켜 해석하였다.
직접, 간접 플라즈마 출력 20~150 W 조건에서 합성된 필름의 XPS 스펙트럼을 같은 방법으로 curve fitting 하여 4 종류의 탄소 결합 비율을 구하였으며, 그 결과를 Figure 8에 나타내었다.
20 mm, 길이 4 mm, 탐침 간의 간격 5 mm)은 파이렉스 유리관과 텅스텐 선을 이용해 자체 제작하여 사용하였다. 탐침 양단에 -30~+30 V의 직류 전압을 걸어주면서 탐침 사이에 흐르는 전류를 측정하여 I-V 곡선을 얻었고, 관련 식(결과 그림에서 설명)에 의해 전자온도 T_e와 전자밀도 n_e를 구하였다.
플라즈마 반응 조건에 따른 MMA 중합체의 화학 결합의 변화를 알아보기 위해, 위 4 종류 주요 피크의 강도를 구한 후 각 피크의 상대적 강도비를 구해 Figure 5에 나타내었다. 편의상 특성 피크 중 알코올성 O-H, 카보닐성 C=O, 에테르성 C-O 등 산소를 포함하는 결합과 탄화수소성 C-H 피크 사이의 강도 비를 구하였다.
플라즈마 중합체의 화학 결합과 구조에 대한 정보를 얻기 위해, 다양한 플라즈마 출력 조건에서 증착된 중합체 필름의 FT-IR 및 XPS 분석을 수행하였다. 감쇄전반사(ATR) 법으로 수행한 FT-IR 분석 결과를 Figure 4에 도시하였다.

대상 데이터

따라서 플라즈마 출력이 일정 수준을 넘어서면 식각 활성종의 에너지가 크게 증가하여 증착되었던 중합체 필름이 깎여 나가는 식각 효과가 커지며, 그로 인해 성장 속도가 오히려 감소하는 결과를 보인다. 본 연구에서 사용한 전구체인 MMA 분자 내에는 산소 원자가 포함되어 있으며, 플라즈마 방전 기체로 함께 공급한 아르곤 기체도 이러한 역할을 하게 된다.
따라서 간접 플라즈마 조건으로 실험하는 경우에는 플라즈마 코일과 기판 위치의 가운데(코일보다 5 cm 뒤쪽 위치)에 스테인리스 철망(메쉬 # 40)을 설치하고 접지하여 플라즈마 글로우가 철망 바깥쪽으로 퍼져 나오지 않게 하였으며, 기판은 접지 철망보다 5 cm 뒤쪽(플라즈마 코일로부터 10 cm)에 위치하게 하였다. 중합체 증착용 기판으로는 Si(100) 기판을 사용하였다.
1에 나타내었다. 직경 60 mm, 길이 600 mm 파이렉스 반응기 중앙에 직경 3 mm의 구리관을 5 바퀴 감아서 유도결합형 반응장치를 구성하였고, 라디오파(13.56 MHz)를 공급해 유도결합형 저온 플라즈마를 발생하였다.
플라즈마 특성 진단에 사용한 Langmuir 이 중 탐침(외경 0.20 mm, 길이 4 mm, 탐침 간의 간격 5 mm)은 파이렉스 유리관과 텅스텐 선을 이용해 자체 제작하여 사용하였다. 탐침 양단에 -30~+30 V의 직류 전압을 걸어주면서 탐침 사이에 흐르는 전류를 측정하여 I-V 곡선을 얻었고, 관련 식(결과 그림에서 설명)에 의해 전자온도 T_e와 전자밀도 n_e를 구하였다.

이론/모형

얻어진 중합체 필름의 두께는 alpha-step (Tencor instrument model 200)으로 분석하였고, 화학 결합 및 구조에 대한 분석은 FT-IR (Bruker Vertex 70) 및 X-ray photoelectron spectroscope (XPS, VG Scientific EscaLab 210)를 사용하였다.

성능/효과

(1) 플라즈마 출력이 증가하면 성장속도가 증가하지만, 직접 플라즈마의 경우에는 100 W 이상의 출력에서는 식각 효과가 나타나 다시 감소하였다. 간접 플라즈마 방식으로 증착된 필름의 성장속도는 직접플라즈마 방식의 20~64%이었다.
(2) 반응 압력이 증가하면 53.2~93 Pa에서 최고 성장속도를 보였으며, 그 이상의 압력에서는 충돌횟수의 증가로 인해 활성화 효율이 낮아져 다시 감소하였다. 간접 플라즈마 방식으로 증착된 필름의 성장 속도는 직접 플라즈마 방식의 약 50%이었다.
(3) 중합 필름의 FT-IR 분석 결과, 플라즈마 출력이 커질수록 C=O/ C-H 피크 강도비가 감소하였으며, 직접 플라즈마 방식에서의 감소 폭이 더 크게 나타났다.
(4) 중합 필름의 XPS 분석 결과, 필름 내 C/O 조성비는 플라즈마 출력이 커질수록 증가하였다. Curve fitting 시뮬레이션 결과, 플라즈마출력이 커질수록 탄화수소성 C-C 탄소는 증가하고 에스터성 COO 탄소는 감소하였다.
(5) Langmuir 탐침을 이용해 플라즈마 특성 분석한 결과, 플라즈마출력이 증가하면 전자밀도는 증가하지만 전자온도는 비슷한 경향을 보였으며, 반응 압력이 증가하면 전자밀도는 증가하지만 전자온도는 감소함을 확인할 수 있었다.
(6) 이상 분광학적 분석과 전기적 특성 진단을 통해, 직접 플라즈마방식이 간접 플라즈마 방식에 비해 필름의 성장속도는 빠르지만, 간접 플라즈마 방식이 전구체의 분자 구조를 유지하는데 도움이 되는 방법임을 확인하였다.
3~133 Pa 로 변화시켜 측정한 전자밀도, 전자온도 경향을 Figure 9의 삽입 그림 (2)에 나타내었다. 13.3 Pa에서 전자밀도는 2.5 × 10¹⁰ #/cm3이었으며, 압력이 증가함에 따라 전자밀도도 증가하여 53.2~93.1 Pa에서 4.3 × 1010 #/cm³의 최대값을 보이고, 그 이후 압력에서는 다시 감소하여 133 Pa에서는 3.4 × 10¹⁰ #/cm³의 값을 보였다. 반면 전자온도는 압력이 13.
커질수록 증가하였다. Curve fitting 시뮬레이션 결과, 플라즈마출력이 커질수록 탄화수소성 C-C 탄소는 증가하고 에스터성 COO 탄소는 감소하였다.
에테르 C-O 결합을 하고 있다. XPS 스펙트럼 데이터를 피크 분리 시뮬레이션한 결과, 직접 플라즈마 출력 20 W에서 합성된 필름 내의 탄소는 62.6%가 C-C 또는 C-H 결합, 21.1%는 에테르 C-O 결합, 4.2%는 카보닐 C=O 결합, 12.1%는 에스터 COO 결합을 하는 것으로 나타났다. 즉, 전통적인 중합법에 의해 합성된 PMMA에 비해 플라즈마 중합체는 플라즈마 에너지에 의해 에스터 COO 결합이 파괴되어 크게 감소하며, 그 중 일부는 원래 MMA 분자 구조에는 존재하지 않았던 카보닐 C=O 결합을 생성하는 것으로 나타났다.
이는 앞에서 언급한 CPA 이론, 즉 일반적인 플라즈마 반응에서 활성화된 산소에 의한 식각 현상이 증가하여 성장속도가 오히려 감소하였던 Figure 2의 고찰과도 잘 부합되는 결과이다. 간접 플라즈마 조건에서는 20 및 150 W에서의 C : O 원소 조성은 각각 73.2 : 26.8과 77.2 : 22.8로 검출되었다. 이는 직접 플라즈마 조건에 비해 산소 함량이 약 10% 정도 높은 결과로서, 접지 철망에 의해 과도한 이온 에너지가 차단되어 산소에 의한 식각 효과가 감소한 것으로 추정된다.
직접, 간접 플라즈마 조건에서 공통적으로 플라즈마 출력이 증가하면 탄소 함량은 증가하고 산소 함량은 감소하였으며, 직접 플라즈마 조건에서 합성한 필름의 산소 감소량이 더욱 크게 나타났다. 구체적으로 살펴보면, 직접 플라즈마 출력 20 W에서 합성된 필름 내 C : O 원소 조성은 75.8 : 24.2였으며, 플라즈마 출력이 커지면 필름 내 탄소는 점차 증가하고 산소는 점차 감소하여 150 W에서는 80 : 20의 비율로 검출되었다. MMA 분자(C₅H₈O₂) 내 C : O의 비는 71.
즉, 간접 플라즈마 조건에서는 접지 철망에 의해 이온, 전자가 소멸되기 때문에 전자밀도를 측정할 수가 없었다. 그러나 라디칼은 접지 철망 장벽을 통과하기 때문에 간접 플라즈마의 약한 에너지 상태에서도플라즈마 중합체 생성은 가능하였고, 직접 플라즈마에 비해 분자 구조를 유지하는데 도움이 되는 방법임을 분광학적 분석과 플라즈마 특성 진단을 통해 확인할 수 있었다.
산소 원자는 증착 필름의 탄소와 결합하여 CO 또는 CO₂ 형태로 식각되며, 플라즈마 글로우 영역에서 생성되는 아르곤 이온은 기판 표면을 스퍼터링하여 식각하는 것으로 알려져 있다. 따라서 플라즈마 출력이 일정 수준을 넘어서면 식각 활성종의 에너지가 크게 증가하여 증착되었던 중합체 필름이 깎여 나가는 식각 효과가 커지며, 그로 인해 성장 속도가 오히려 감소하는 결과를 보인다. 본 연구에서 사용한 전구체인 MMA 분자 내에는 산소 원자가 포함되어 있으며, 플라즈마 방전 기체로 함께 공급한 아르곤 기체도 이러한 역할을 하게 된다.
보였다. 먼저 전자밀도를 보면, 플라즈마 출력이 커짐에 따라 전자밀도도 증가하는 경향을 보였으며, 플라즈마 출력 20, 150 W에서 각각 전자밀도는 1.3 × 10¹⁰, 6.1 × 10¹⁰ #/cm³로 나타났다. 반응기 압력 53.
모든 압력 영역에서 직접 플라즈마 조건에서 증착된 필름의 성장 속도가 간접 플라즈마 조건에 비해 약 2 배 빠른 결과를 보였다. 압력이 증가하면 성장속도도 따라서 증가하지만, 직접 플라즈마의 경우 93 Pa에서 68.
압력이 증가하면 성장속도도 따라서 증가하지만, 직접 플라즈마의 경우 93 Pa에서 68.2 nm/min, 간접 플라즈마의 경우 53.2 Pa에서 33.6 nm/min 의 최고점을 보인 후 그 이상의 압력에서는 오히려 감소하였다. 이는 앞에서 언급했던 W/FM 인자로 설명할 수 있는데, 압력이 증가하면 기상에 존재하는 전구체의 농도가 증가하여 성장속도가 빨라지는 요인과, 일정한 플라즈마 출력 에너지를 흡수하는 전구체 분자수가 증가하여 분자당 활성화 효율이 떨어져 성장속도가 감소하는 요인이 서로 상반된 영향을 미치기 때문이다.
31 × 10¹⁶ #/cm³임을 고려하면 본 연구에서의 이온화 효율은 10^-5~10^-6 정도이다. 이 값은 일반적인 저온 플라즈마의 이온화 효율이 10^-4~10^-5 정도인 것에 비하면 1 order 정도 낮은데, 이는 본 연구에서 기판의 위치가 플라즈마 코일로부터 10 cm 떨어져 있다는 점을 고려하면 비교적 합리적인 결과라고 볼 수 있다. 반응 영역에서 전자밀도가 증가하면 주변의 분자들과의 충돌을 통해 이온, 라디칼, 여기상태 등의 활성종들을 만들어 내므로 필름의 성장 속도가 증가할 것으로 예상할 수 있고, 이는 Figure 2의 성장속도 결과와 잘 일치한다.
이상의 Langmuir 탐침 실험을 통해, 동일한 압력에서 플라즈마 출력이 증가하면 전자밀도는 증가하지만 전자온도는 비슷한 경향을 보이며, 동일한 출력 조건에서 압력이 증가하면 전자밀도는 증가하지만 전자온도는 감소함을 확인할 수 있었다.
전체적으로는 플라즈마 출력이 증가함에 따라 중합체 필름의 성장 속도도 증가하였다. 반응기 내 시편 앞쪽에 접지 철망을 설치하지 않은 직접 플라즈마 조건의 경우, 플라즈마 출력 20 W에서 15.
0%로 나타났다. 즉, 간접 플라즈마에 비해 직접 플라즈마에서 COO 결합이 더 많이 파괴됨을 확인할 수 있었다. 에테르성 C-O 결합과 카보닐 성 C=O 결합도 플라즈마 에너지에 의해 파괴되겠지만 XPS 분석 결과에서는 변화량이 크게 나타나지는 않았는데, 그 이유는 에스터 COO 결합이 파괴되면 그 중 일부가 에테르성 C-O 결합과 카보닐성 C=O 결합으로 변하기 때문으로 여겨진다.
1%는 에스터 COO 결합을 하는 것으로 나타났다. 즉, 전통적인 중합법에 의해 합성된 PMMA에 비해 플라즈마 중합체는 플라즈마 에너지에 의해 에스터 COO 결합이 파괴되어 크게 감소하며, 그 중 일부는 원래 MMA 분자 구조에는 존재하지 않았던 카보닐 C=O 결합을 생성하는 것으로 나타났다. 한편 FT-IR 스펙트럼 분석에서는 피크의 분해능이 좋지 않아 에스터성 C=O 피크와 카보닐 성 C=O 피크를 분리하기는 어려웠다.
66으로 변한 결과에 비하면, 초기 저출력 영역에서의 피크 비가 크게 나타날 뿐만 아니라 플라즈마 출력 증가에 따른 피크 비 감소량도 크게 줄어든 결과이다. 즉, 플라즈마 방전 영역과 기판 사이에 접지 철망을 설치한 간접 플라즈마의 경우 MMA 분자의 파괴가 줄어들었음을 확인할 수 있었다.
직접, 간접 플라즈마 모두 플라즈마 출력이 커질수록 에스터성 COO 탄소는 감소하고, 일반 탄화수소성 C-C 탄소는 증가하였다. 직접 플라즈마의 경우, 플라즈마 출력 20, 150 W에서의 C-C 탄소의 조성은 각각 62.
필름의 XPS 원소 조성 분석 결과를 나타내었다. 직접, 간접 플라즈마 조건에서 공통적으로 플라즈마 출력이 증가하면 탄소 함량은 증가하고 산소 함량은 감소하였으며, 직접 플라즈마 조건에서 합성한 필름의 산소 감소량이 더욱 크게 나타났다. 구체적으로 살펴보면, 직접 플라즈마 출력 20 W에서 합성된 필름 내 C : O 원소 조성은 75.
7 nm/min와 거의 비슷한 결과를 보였다. 한 가지 주목할 점은, 직접 플라즈마 조건에서는 150 W의 고출력 영역에서 식각 효과에 의해 성장 속도가 오히려 감소하였는데, 간접 플라즈마 조건에서는 고출력 영역에서 성장속도의 증가세가 크게 완화되기는 했지만 여전히 약간 증가하는 경향을 보였다. 이는 접지 철망에 의해 플라즈마 글로우 영역이 차단되어 실제 기판이 위치하는 곳에는 고에너지 입자들의 농도가 크게 감소하였기 때문이며, 그로 인해 고출력 영역에서의 식각 효과도 거의 나타나지 않는 것으로 여겨진다.
한편 간접 플라즈마의 결과를 보면, 전체적인 경향은 직접 플라즈마에서와 비슷하지만 플라즈마 출력 증가에 따른 변화는 크게 줄어들었다. C=O/C-H 피크 비는 플라즈마 출력 20 W의 4.

참고문헌 (13)

R. Wolf and A. Sparavigna, Role of plasma surface treatments on wetting and adhesion, Engineering, 2, 397-402 (2010).

상세보기
S. Kaplan, Plasma surface treatment of plastics to enhance adhesion, Int. J. Adhes. Adhes., 11, 109-113 (1991).

상세보기
B. Cho, G. Han, K. Oh, S. Chung, and B. Chun, The effect of plasma polymer coating using atmospheric-pressure glow discharge on the shear bond strength of composite resin to ceramic, J. Mater. Sci., 46, 2755-2763 (2011).

상세보기
A. Wrobel, A. Pietrzykowska, Y. Hatanaka, S. Wickramanayaka, and Y. Nakanishi, Oligomerization and polymerization steps in remote plasma chemical vapor deposition of silicon-carbon and silica films from organosilicon sources, Chem. Mater., 13, 1884-1895 (2001).

상세보기
M. Kahoush, N. Behary, A. Cayla, B. Mutel, J. Guan, and V. Nierstrasz, Surface modification of carbon felt by cold remote plasma for glucose oxidase enzyme immobilization, Appl. Surf. Sci., 476, 1016-1024 (2019).

상세보기
M. Okada, K. Matsuda, T. Sato, K. Yamada, K. Matsuda, and T. Hiaki, Polymerization of methyl methacrylate initiated by atmospheric pressure plasma jet, J. Photopolym. Sci. Technol., 28, 461-464 (2015).

상세보기
B. Li, Q. Sun, G. Li, and X. Hou, Plasma initiated emulsion polymerization of MMA, Plasma Sci. Technol., 1, 67-71 (1999).

상세보기
R. Bitar, P. Cools, N. Geyter, and R. Morent, Acrylic acid plasma polymerization for biomedical use, Appl. Surf. Sci., 448, 1, 168-185 (2018).

상세보기
O. Carton, D. Salem, S. Bhatt, J. Pulpytel, and F. Khonsari, Plasma polymerization of acrylic acid by atmospheric pressure nitrogen plasma jet for biomedical applications, Plasma Processes Polym., 9, 984-993 (2012).

상세보기
H. Yasuda, Plasma Polymerization, 1st ed., 169, Academic Press, NY, USA (1985).
H. Yasuda and T. Yasuda, The competitive ablation and polymerization (CAP) principle and the plasma sensitivity of elements in plasma polymerization and treatment, J. Polym. Sci., Part A: Polym. Chem., 38, 943-953 (2000).

상세보기
D. Briggs and M. Seah, Practical Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy, 1st ed., 425-426, John Wiley & Sons, NY, USA (1983).
A. Grill, Cold Plasma in Materials Fabrication, 1st ed., 160-161, John Wiley & Sons, NY, USA (1994).

저자의 다른 논문 :

표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 논문명, 저널/프로시딩명, 저자 , 발행년, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, 발행기관 관리번호, 논문명, 대등논문명, 저자 , 저널/프로시딩명, 발행기관, 발행년, 발행언어, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, ISBN, ISSN, 주제분야, 키워드, 초록(한글), 초록(영문), 저자(소속기관)
저장형식	Text(ASCII format) Excel format RefWorks Direct Export RIS format (for Reference Manager, ProCite, EndNote), Scholar's Aids, Mendeley
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증