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[국내논문] 착화제 첨가에 따른 웨이퍼 세정 용액 특성 분석 및 금속 용해 거동
Analysis of Wafer Cleaning Solution Characteristics and Metal Dissolution Behavior according to the Addition of Chelating Agent 원문보기

한국분말야금학회지 = Journal of Korean Powder Metallurgy Institute, v.28 no.1, 2021년, pp.25 - 30  

김명석 (단국대학교 에너지공학과) ,  류근혁 (단국대학교 에너지공학과) ,  이근재 (단국대학교 에너지공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The surface of silicon dummy wafers is contaminated with metallic impurities owing to the reaction with and adhesion of chemicals during the oxidation process. These metallic impurities negatively affect the device performance, reliability, and yield. To solve this problem, a wafer-cleaning process ...

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문제 정의

  • 따라서 본 연구에서는 불순물의 재흡착, 표면 거칠기 향상, 세정 용액의 수명 감소 및 추가적인 세정 공정과 같은 기존 SC-1 세정 용액의 문제점을 보완하기 위하여 금속과 반응하여 배위화합물을 형성하는 착화제인 EDTA (Ethylenediaminetetraacetic Acid)를 첨가하여 다양한 금속과의 용해 거동을 확인하고자 하였다. 각 세정 용액의 시간에 따른 이온전도도 변화를 통하여 세정 용액의 안정성 및 금속 용해 거동을 분석하고자 하였으며, 반응 전과 후 세정 용액의 흡광도와 입도 크기 변화를 비교하여 착화제와 금속 간의 결합 안정도를 분석하고자 하였다.
  • 본 연구에서는 금속 불순물의 재흡착, H2O2 분해 및 고온 세정 등과 같은 기존 RCA cleaning의 문제점을 해결하기 위하여 착화제인 EDTA를 기존 SC-1 세정 용액에 첨가하여 세정 용액과 금속 간의 결합 안정도를 분석하고자 하였다. 기존 세정 용액과 EDTA가 첨가된 세정 용액을 비교하기 위하여 웨이퍼 표면에 존재하는 금속 불순물인 Cr, Fe 및 Ni 분말을 각각 세정 용액에 장입한 후 총 12시간 동안 반응을 진행하였으며, 반응 전과 후의 이온전도도, 흡광도, 입도 변화를 비교하였다.
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참고문헌 (25)

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