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Parylene 고분자 유전체 표면제어를 통한 OFET의 소자 안정성 향상 연구
Improvement of Operating Stabilities in Organic Field-Effect Transistors by Surface Modification on Polymeric Parylene Dielectrics 원문보기

접착 및 계면 = Journal of adhesion and interface, v.22 no.3, 2021년, pp.91 - 97  

서정윤 (한양대학교 재료화학공학과) ,  오승택 (한양대학교 재료화학공학과) ,  최기헌 (한양대학교 재료화학공학과) ,  이화성 (한양대학교 재료화학공학과)

초록
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본 연구는 Parylene C 유전체 표면에 유기 자기조립단분자막(self-assembled monolayer, SAM) 중간층을 도입함으로써 표면특성을 제어하고 최종적으로 유기전계효과 트랜지스터(organic field-effect transistors, OFETs)의 전기적 안정성을 향상시킨 결과를 제시하였다. 유기 중간층을 적용함으로써, Parylene C 게이트 유전체의 표면 에너지를 제어하였으며, OFET의 가장 중요한 성능변수인 전계효과 이동도(field-effect transistor, μFET)와 문턱 전압 (threshold voltage, Vth)의 성능향상과 구동 안정성을 증대시켰다. 단순히 Parylene C 유전체를 적용한 Bare OFET에서 μFET 값은 0.12 cm2V-1s-1가 측정되었으나, hexamethyldisilazane (HMDS)과 octadecyltrichlorosilane (ODTS)를 중간층으로 적용된 소자에서는 각각 0.32과 0.34 cm2V-1s-1로 μFET가 증가하였다. 또한 1000번의 transfer 특성의 반복측정을 통해 ODTS 처리한 OFET의 μFET와 Vth의 변화가 가장 작게 나타남을 확인하였다. 이 연구를 통해 유기 SAM 중간층, 특히 ODTS는 효과적으로 Parylene C 표면을 알킬 사슬로 덮어 극성도를 낮춤과 함께 전하 트래핑을 감소시켜 소자의 전기적 구동 안정성을 증가시킬 수 있음을 확인하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

By introducing an organic interlayer on the Parylene C dielectric surface, the electrical device performances and the operating stabilities of organic field-effect transistors (OFETs) were improved. To achieve this goal, hexamethyldisilazane (HMDS) and octadecyltrichlorosilane (ODTS), as the organic...

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참고문헌 (43)

  1. Y. H. Lee, M. J. Jang, M. Y. Lee, O. Y. Kewon, and J. H. Oh, Chem., 3, 724 (2017). 

  2. Y. Yao, H. Dong, and W. Hu, Adv. Mater., 28, 4513 (2016). 

  3. M. J. Kim, S. U. Ryu, S. A. Park, K. W. Choi, T. H. Kim, D. S. Chung, and T. H. Park, Adv. Funct. Mater., 30, 1904545 (2020). 

  4. D. H. Kwak, Y. N. Seo, J. E. Anthony, S. H. Kim, J. Y. Hur, H. J. Chae, H. J. Park, B. G. Kim, E. H. Lee, S. L. Ko, and W. H. Lee, Adv. Mater. Interfaces, 7, 1901696 (2020). 

  5. K. H. Kim, J. H. Hong, S. G. Hahm, Y. C. Rho, T. K. An, S. H. Kim, and C. E. Park, ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 13481 (2019). 

  6. H. Chen, M. Hurhangee, M. Nikolka, W. Zhang, M. Kirkus, M. Neophytou, S. Cryer, D. Harkin, P. Hayoz, M. Abdi-Jalebi, C. McNeil, H. Sirringhaus, and I. McCulloch, Adv. Mater., 29, 1702523 (2017). 

  7. J.T.E. Quinn, J. Zhu, X. Li, J. Wang, and Y. Li, J. Mater. Chem. C, 5, 8654 (2017). 

  8. S. G. Lee and H. H. Choi, JAIK, 20, 162 (2019). 

  9. Z. Liu, Z. Yin, S.-C. Chen, S. Dai, J. Huang, and Q. Zheng, Org. Electron., 53, 205 (2018). 

  10. E. Y. Shin, H. J. Cho, S. W. Jung, C. D. Yang, and Y. Y. Noh, Adv. Funct. Mater., 28, 1704780 (2018). 

  11. H. Gao, Y. Qiu, J. Feng, S. Li, H. Wang, Y. Zhao, X. Wei, X. Jiang, Y. Su, Y. Wu, and L. Jiang, Nat. Commun., 10, 3912 (2019). 

  12. J. S. Kwon, H. W. Park, D. H. Kim, and Y. J. Kwark, ACS Appl. Mater. Interfaces, 9, 5366 (2017). 

  13. N. M. B. Neto, M. D. R. Silva, P. T. Araujo, and R. N. Sampaio, Adv. Mater., 30, 1705052 (2018). 

  14. J. M. Lim and H. H. Choi, JAIK, 21, 129 (2020). 

  15. G . H. Choi, K. H. Lee, S. T. Oh, J. Y. Seo, C. H. Kim, T. K. An, J. H. Lee, and H. S. Lee, J. Mater. Chem. C, 8, 10010 (2020). 

  16. H. J. Park, J. M. Kwon, H. J. Ahn, and S. J. Jung, J. Mater. Chem. C, 7, 6251 (2019). 

  17. H. Ye, H. J. Kwon, X. Tang, C. E. Park, T. K. An, and S. H. Kim, Org. Electron., 87, 105942 (2020). 

  18. H. J. Kwon, H. Ye, T. K. An, J. S. Hong, C. E. Park, Y. S. Choi, S. J. Shin, J. H. Lee, S. H. Kim, and X. Li, Org. Electron., 75, 105391 (2019). 

  19. E. Y. Shin, E. Y. Choi, and Y. Y. Noh, Org. Electron., 46, 14 (2017). 

  20. T.K. Rockson, S. H. Baek, H. Y. Jang, G. H. Choi, S. Y. Oh, J. H. Kim, H. W. Cho, S. H. Kim, and H. S. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 10108 (2019). 

  21. X. Li, S. H. Baek, K. H. Kim, H. S. Lee, and S. H. Kim, Org. Electron., 69, 128 (2019). 

  22. H. J. Park, J. M. Kwon, H. J. Ahn, and S. J. Jung, J. Mater. Chem. C, 7, 6251 (2019). 

  23. H. J. Park, H. J. Ahn, J. M. Kwon, S. J. Kim, and S. J. Jung, ACS Appl. Mater. Interfaces, 10, 37767 (2018). 

  24. B. Han, P. Wang, H. Jin, Z. Hou, and X. Bai, Phys. Lett. A, 384, 126628 (2020). 

  25. S. T. Oh, G . H. Choi, H. W. Cho, J. Y. Ha, Md. R. R. Khan, and H. S. Lee, J. Phys. Chem. C, 124, 161 (2020). 

  26. T. K. Rockson, S. H. Baek, H. Y. Jang, S. T. Oh, G . H. Choi, H. H. Choi, and H. S. Lee, J. Phys. Chem. C, 122, 17695 (2018). 

  27. M. Nakano, I. Osaka, and K. Takimiya, Adv. Mater., 29, 1602893 (2017). 

  28. B. B. Patil, Y. Takeda, S. Singh, T. Wang, A. Singh, T. Do, S. P. Singh, S. Tokito, A. K. Pandey, and P. Sonar, Sci. Rep., 10, 19989 (2020). 

  29. S. Casalini, C. A. Bortolotti, F. Leonardi, and F. Biscarini, Chem. Soc. Rev., 46, 40 (2017). 

  30. S. Kumar, D. Panigrahi, and A. Dhar, Appl. Surf. Sci., 435, 855 (2018). 

  31. Y. B. Kim, J. H. Bae, H. W. Song, T. K. An, S. H. Kim, and C. E. Park, ACS Appl. Mater. Interfaces, 9, 39493 (2017). 

  32. M. Nakano, I. Osaka, and K. Takimiya, Adv. Mater., 29, 1602893 (2016). 

  33. P. Prisawong, P. Zalar, A. Reuveny, N. Matsuhisa, W. Lee, T. Yokota, and T. Someya, Adv. Mater., 28, 2049 (2016). 

  34. J. S. Kim, B. S. Kang, and K. W. Cho, Adv. Funct. Mater., 29, 1806030 (2019). 

  35. H. Chen, W. Zhang, M. Li, G. He, and X. Guo, Chem. Rev., 120, 2879 (2020). 

  36. F. Zhang, E. Mohammadi, X. Luo, J. Strzalka, J. Mei, and Y. Diao, Langmuir, 34, 1109 (2018). 

  37. S. Wang, S. Zhou, Y. Tong, Z. Song, H. Wang, Q. Tang, X. Zhao, and Y. Liu, Adv. Mater. Interfaces, 6, 1801984 (2019). 

  38. X. G u, L. Shaw, K. G u, M. F. Toney, and Z. Bao, Nat. Commun., 9, 534 (2018). 

  39. T. Breuer, A. Karthauser, H. Klemm, F. G enuzio, G. Peschel, A. Fuhrich, T. Schmidt, and G. Witte, ACS Appl. Mater. Interfaces, 9, 8384 (2017). 

  40. S. Riera-Galindo, F. Leonardi, R. Pfattner, M. Mas-Torrent, Adv. Mater. Technol., 4, 1900104 (2019). 

  41. X. Ren, K. Pei, B. Peng, Z. Zhang, Z. Wang, X. Wang, and P. K. L. Chan, Adv. Mater., 28, 4832 (2016). 

  42. J. Takeya, T. Nishikawa, T. Takenobu, Appl. Phys. Lett., 85, 5078 (2004). 

  43. J. Zessin, Z. Xu, N. Shin, M. Hambsch, and S. C. B. Mannsfeld, ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 2177 (2019). 

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