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ZnO2 박막 제조 시간의 증가에 따라 박막 입자 성장면과 입자 성장 방향에 관한 연구
As ZnO2 Thin Film Manufacturing Time Increases, the Thin Film Particle Growth Plane and a Study on the Direction of Particle Growth 원문보기

Journal of the Chosun Natural Science = 조선자연과학논문집, v.14 no.1, 2021년, pp.1 - 5  

정진 (조선대학교물리학과)

초록
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라디오 진동수 스퍼터를 이용하여 실리콘(110) 기판위에 증착시간을 60분, 120분 그리고 180을 변화시켜서 산화아연 박막을 만들었다. ZnO2 박막의 입자 성장면을 X선 회절 장치를 써서 분석한 결과 박막의 주 성장면(002)면과 (103)면의 방향이 증착 시간의 영향을 많이 받았다. 전자 주사 현미경을 통하여 ZnO2박막의 입자 성장을 관찰 한 결과 ZnO2박막이 증착 초기에는 성장이 정체되는 인큐베이션 시간이 필요하다가 일정 시간이 지나면 다시 입자 성장이 일어나는 현상이 관찰 되었다. ZnO2박막의 화학 분석을 한 결과는 증착 시간의 증가가 ZnO2박막내의 산소의 양과는 변화가 없었지만 Zn의 성분에 변화가 관찰 되어서 박막의 증착 시간이 박막내의 Zn성분에는 영향을 미침을 알 수 있었다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

A zinc oxide thin film was made by varying the deposition time on the silicon(110) substrate by using a radio frequency sputtering time of 60 minutes, 120 minutes and 180 minutes. As a result of analyzing the grain growth surface of the ZnO2 thin film using an X-ray diffraction apparatus, the direct...

주제어

#XRD   # $Zn0_2$   #Thin Films   #Oxygen Defect  

표/그림 (4)

참고문헌 (11)

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  11. S. Min and J. Jeong, Materials Science and Engineering B, vol. 110, pp 240-242, 2004. 

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