[논문]마그네트론 스퍼터링법으로 제조된 ZTZ 박막의 구조적 전기광학적 특성에 미치는 전자빔 조사의 영향

차병철; 장진규; 최진영; 이인식; 김대욱; 김유성; 김대일

doi:10.5695/jsse.2022.55.6.363

[국내논문] 마그네트론 스퍼터링법으로 제조된 ZTZ 박막의 구조적 전기광학적 특성에 미치는 전자빔 조사의 영향
Influence of electron irradiation on the structural and optoelectronics properties of ZTZ thin films prepared by magnetron sputtering 원문보기

한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.55 no.6, 2022년, pp.363 - 367

차병철 (한국생산기술연구원 울산본부 첨단정형공정그룹) , 장진규 (울산대학교 첨단소재공학부) , 최진영 (한국생산기술연구원 울산본부 첨단정형공정그룹) , 이인식 (한국생산기술연구원 울산본부 첨단정형공정그룹) , 김대욱 (한국생산기술연구원 울산본부 첨단정형공정그룹) , 김유성 (한국생산기술연구원 울산본부 첨단정형공정그룹) , 김대일 (울산대학교 첨단소재공학부)

Abstract ▼ AI-Helper

Transparent ZnO/Ti/ZnO (ZTZ) tri-layered films were prepared with radio frequency (RF) and direct current (DC) magnetron sputtering on the glass substrate. The thickness of the ZnO and Ti films was kept at 50 and 10 nm to consider the effect of the electron irradiation on the crystallization and optoelectrical properties of the films. From the XRD spectra, post-depostion electron irradiated films showed the characteristic peaks of ZnO(002) and Ti(200), respectively. the observed grain size of the ZnO(002) and Ti(200) enlarged up to 18.27 and 12.16 nm at an irradiation condition of 750 eV. In the figure of merit which means an optoelectrical performance of the films, as deposited films show a figure of merit of 2.0×10-5 𝛺-1, while the films electron irradiated at 750 eV show a higher figure of merit of 5.7×10-5 𝛺-1.

주제어

표/그림 (7)

$Fig. 1. XRD diffraction pattern of ZnO/Ti/ZnO films. (a) As deposition, (b) 250eV, (c) 500eV, (b) 750eV.$ 그림 Fig. 1. XRD diffraction pattern of ZnO/Ti/ZnO films. (a) As deposition, (b) 250eV, (c) 500eV, (b) 750eV.
표 Table 1. Magnetron sputtering and electron irradiation conditions of ZnO/Ti/ZnO (ZTZ) thin films.
그림 Fig. 2. Surface RMS roughness of ZnO/Ti/ZnO films. (a) As deposition, (b) 250eV, (c) 500eV, (b) 750eV.
그림 Fig. 3. Visible transmittance of ZnO/Ti/ZnO films. (a) Asdeposition, (b) 250eV, (c) 500eV, (b) 750eV.
표 Table 2. Grain size of ZnO(002) and Ti (200) on the ZTZ films electron irradiated at different electron irradiation energy.
그림 Fig. 4. Optical band gap of ZnO/Ti/ZnO films. (a) As deposition, (b) 250eV, (c) 500eV, (b) 750eV.
표 Table 3. Figure of merit(FOM) of the ZTZ films electron irradiated at different electron irradiation energy.

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