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RF Sputtering 방법으로 증착된 Zn0.85Mg0.15O 박막을 적용한 고효율 양자점 전계 발광 소자 연구
Efficient Quantum Dot Light-emitting Diodes with Zn0.85Mg0.15O Thin Film Deposited by RF Sputtering Method 원문보기

마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.29 no.4, 2022년, pp.49 - 53  

김보미 (경기대학교 신소재공학과) ,  김지완 (경기대학교 신소재공학과)

초록
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본 연구는 최적화된 전기발광 성능을 가진 양자점 전계 발광 다이오드 소자를 제작하기 위해 RF sputtering 기법으로 Zn0.85Mg0.15O 박막을 전자수송층으로 적용하였다. 일반적으로 양자점 전계 발광 다이오드에서 ZnO 나노입자는 적절한 에너지 준위를 가지고 있어 전자 이동도가 빠르고 용액 처리가 용이하다는 장점으로 전자 수송층으로 널리 사용되는 재료이다. 그러나, 용액형 ZnO 나노입자의 불안정성 문제는 아직 해결되지 않고 있다. 이를 해결하기 위해 본 연구에서는 ZnO에 15 % Mg을 도핑한 ZnMgO 박막을 RF sputtering법으로 제작하고 전자수송층으로 적용한 소자를 최적화하였다. 최적화된 ZnMgO 박막을 이용한 소자는 최대 휘도 15,972 cd/m2, 전류효율 7.9 cd/A를 보였다. Sputtering ZnMgO 박막 기반 양자점 전계 발광 다이오드 소자는 용액형 ZnO 나노입자의 문제를 해결하고 미래 디스플레이 소자 제작 기술의 적용 가능성을 확인하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, quantum dot light-emitting diodes (QLEDs) of the optimized EL performance with a radio frequency (RF) sputtered Zn0.85Mg0.15O thin film as an electron transport layer (ETL). In typical QLEDs, ZnO nanoparticles (NPs) are widely used materials for ETL layer due to their advantages of hi...

주제어

#QLEDs   #ZnMgO   #ETL   #RF sputtering  

표/그림 (5)

참고문헌 (18)

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