[논문]상압플라즈마 공정을 이용한 Ti 증착 연구

김경보

doi:10.22156/cs4smb.2022.12.02.149

초록
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본 논문에서는 광센서의 주요 구성요소인 도체를 상압플라즈마 공정 기술을 이용하여 티타늄(Ti: Titanium) 박막을 형성하고자 하였다. 이를 위해 기존의 상압플라즈마 장비를 개조하였으며, CF4 가스를 이용하여 sputter용 4인치 크기의 Ti 타겟을 식각하여 그 부산물이 글라스 소재의 샘플에 코팅되는 방법을 이용하였다. 이러한 부산물이 약 2cm까지 형성되었으며, 색깔에 따라 총 15영역으로 구분할 수 있었다. SEM(Scanning Electron Microscopy) 및 EDS(Energy Dispersive Spectrometer), 4-point probe 장비를 이용하여 표면 형상 및 구성 원소를 분석하였으며, 또한, 전기적인 특성을 측정하였다. 증착률 및 Ti 비율을 고려한다면, 타겟에서 약 4.5mm에서 5mm 정도에 샘플을 위치시켜 코팅하면 전체적으로 균일한 박막이 형성되지만, 이 박막에 상당량의 플루오린이 함유되어 있어 박막의 전기적인 특성에 큰 영향을 미치는 것을 알 수 있었다. 따라서 플루오린을 제거하거나 증착시 최소화하는 방안에 대해 추가 실험 및 연구를 진행해야 할 것이다.

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In this paper, it was attempted to form a titanium (Ti: Titanium) thin film using the atmospheric pressure plasma process technology for the conductor, which is the main component of the optical sensor. The atmospheric plasma equipment was remodeled. A 4-inch Ti target for sputter was etched using C...

In this paper, it was attempted to form a titanium (Ti: Titanium) thin film using the atmospheric pressure plasma process technology for the conductor, which is the main component of the optical sensor. The atmospheric plasma equipment was remodeled. A 4-inch Ti target for sputter was etched using CF4 gas, and the by-product was coated on a glass sample. These by-products were formed up to about 2 cm, and could be divided into 15 areas according to color. Surface shape and constituent elements were analyzed using scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive spectrometer (EDS), respectively. Electrical properties using 4-point probe equipment were also measured. If the process is performed by positioning the sample at about 4.5 mm to 5 mm from the target, a uniform Ti thin film will be deposited. However, it was found that the thin film contained a significant amount of fluorine, which greatly affects the electrical properties of the thin film. Therefore, additional experiments and studies should be performed to remove or minimize fluorine during deposition.

주제어

표/그림 (8)

그림 Fig. 1. Images of (a) main equipment, (b) Ar gas, and (c) oxygen gas constituting a general atmospheric pressure plasma system.
그림 Fig. 2. Ti target images for 4-inch sputter before (a) and after (b) coating experiment.
그림 Fig. 4. Surface SEM image of coated sample.
그림 Fig. 3. (a) Modified atmospheric plasma equipment system and (b) Image showing the plasma region irradiated to the target and the sample placed on the sample stage. (c) Schematic diagram showing the area where CF4 plasma is irradiated to the structure with the Ti target under the glass sample.
그림 Fig. 5. High-magnification SEM images of the film formed at the positions (a) #1, (b) #3, (c) #6, (d) #7, (e) #9, and (f) #15 of the sample shown in Fig. 4.
그림 Fig. 6. EDS analysis results of the film formed at the positions (a) #1, (b) #3, (c) #6, (d) #7, (e) #9, and (f) #15 of the sample shown in Fig. 4.
그림 Fig. 7. Composition ratio for elements of the film formed at the positions (a) #1, (b) #3, (c) #6, (d) #7, (e) #9, and (f) #15 of the sample shown in Fig. 4.
그림 Fig. 8. Image of 4 point probe equipment used to measure surface resistance.

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