[논문]듀얼 마그네트론 스퍼터링 법으로 제조된 Pd-Doped Carbon 박막의 물리적 특성에서 Pd 타겟 전력의 영향에 대한 연구

최영철; 박용섭

doi:10.4313/jkem.2022.35.5.10

[국내논문] 듀얼 마그네트론 스퍼터링 법으로 제조된 Pd-Doped Carbon 박막의 물리적 특성에서 Pd 타겟 전력의 영향에 대한 연구
Study of Pd Target Power Effects on Physical Characteristics of Pd-Doped Carbon Thin Films Using Dual Magnetron Sputtering Method 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.35 no.5, 2022년, pp.488 - 493

최영철 (조선대학교 전기공학과) , 박용섭 (조선이공대학교 전자과)

Abstract ▼ AI-Helper

Generally, diamond-like carbon films (a-C:H, DLC) have been shown to have a low coefficient of friction, a high hardness and a low wear rate. Pd-doped C thin film was fabricated using a dual magnetron sputtering with two targets of graphite and palladium. Graphite target RF power was fixed and palladium target RF power was varied. The structural, physical, and surface properties of the deposited thin film were investigated, and the correlation among these properties was examined. The doping ratio of Pd increased as the RF power increased, and the surface roughness of the thin film decreased somewhat as the RF power increased. In addition, the hardness value of the thin film increased, and the adhesive strength was improved. It was confirmed that the value of the contact angle indicating the surface energy increases as the RF power increases. It was concluded that the increase in RF power contributed to the improvement of the physical properties of Pd-doped C thin film.

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표/그림 (8)

그림 Fig. 1. FESEM surface images of Pd doped C films fabricated at (a) 70 W and (b) 100 W RF powers in palladium target, and crosssectional images of films (b) 70 W and (d) 100 W.
그림 Fig. 2. Pd concentration contained in Pd doped C films deposited according to RF power of Pd target.
그림 Fig. 3. Hardness and elastic modulus value of Pd doped C films deposited according to RF power of Pd target.
그림 Fig. 4. (a) The frictional force versus load during the scratch test and the failure image of critical load of Pd doped C film fabricated at the condition of 100 W RF power, and (b) critical load value of Pd doped C films deposited according to RF power of Pd target.
그림 Fig. 5. Surface roughness 3D images of Pd doped C films fabricated at (a) 70 W and (b) 100 W RF powers in palladium target.
그림 Fig. 6. Rms surface roughness of Pd doped C films deposited according to RF power of Pd target.
그림 Fig. 7. Images of the contact angle of Pd doped C films fabricated at (a) 70 W a nd ( b) 1 00 W RF powers in p alladium t arget, and t he change of contact angle value with increasing RF power of the palladium target.
그림 Fig. 8. (a) Raman spectra of Pd doped C films and (b) the variation of G peak position and I_D/I_G ratio of the Pd doped C films as a function of palladium target RF power.

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