$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

단일 원소 금속의 영역 선택적 원자층 증착법 연구 동향
Recent Studies on Area Selective Atomic Layer Deposition of Elemental Metals 원문보기

한국분말재료학회지 = Journal of Powder Materials, v.30 no.2, 2023년, pp.156 - 168  

조민규 (서울과학기술대학교 신소재공학과) ,  고재희 (서울과학기술대학교 신소재공학과) ,  최병준 (서울과학기술대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The semiconductor industry faces physical limitations due to its top-down manufacturing processes. High cost of EUV equipment, time loss during tens or hundreds of photolithography steps, overlay, etch process errors, and contamination issues owing to photolithography still exist and may become more...

주제어

참고문헌 (73)

  1. J. Zhang, Y. Li, K. Cao and R. Chen: Nanomanuf. Metrol., 5 (2022) 191.? 

  2. R. W. Johnson, A. Hultqvist and S. F. Bent: Mater. Today, 17 (2014) 236.? 

  3. G. N. Parsons: J. Vac. Sci. Technol., A, 37 (2019) 020911.? 

  4. S. D. Elliott, G. Dey and Y. Maimaiti: J. Chem. Phys., 146 (2017) 052822.? 

  5. D. J. Hagen, M. E. Pemble and M. Karppinen: Appl. Phys. Rev., 6 (2019) 041309.? 

  6. R. M. M. Hasan and X. Luo: Nanomanuf. Metrol., 1 (2018) 67.? 

  7. R. F. Pease and S. Y. Chou: Proc. IEEE, 96 (2008) 248.? 

  8. A. J. M. Mackus, A. A. Bol and W. M. M. Kessels: Nanoscale, 6 (2014) 10941.? 

  9. G. N. Parsons and R. D. Clark: Chem. Mater., 32 (2020) 4920.? 

  10. A. J. M. Mackus, M. J. M. Merkx and W. M. M. Kessels: Chem. Mater., 31 (2019) 2.? 

  11. R. Chen and S. F. Bent: Adv. Mater., 18 (2006) 1086.? 

  12. C. de Paula, D. Bobb-Semple and S. F. Bent: J. Mater. Res., 36 (2021) 582.? 

  13. M. Pasquali, S. D. Gendt and S. Armini: Appl. Surf. Sci., 540 (2021) 148307.? 

  14. H. Nadhom, R. Boyd, P. Rouf, D. Lundin and H. Pedersen: J. Phys. Chem. Lett., 12 (2021) 4130.? 

  15. S. Belahcen, C. Vallee, A. Bsiesy, A. Chaker, M. Jaffal, T. Yeghoyan and M. Bonvalot: J. Vac. Sci. Technol., A, 39 (2021) 012410.? 

  16. J. Kwon, M. Saly, M. D. Halls, R. K. Kanjolia and Y. J. Chabal: Chem. Mater., 24 (2012) 1025.? 

  17. M. F. J. Vos, S. N. Chopra, M. A. Verheijen, J. G. Ekerdt, S. Agarwal, W. M. M. Kessels and A. J. M. Mackus: Chem. Mater., 31 (2019) 3878.? 

  18. M. F. J. Vos, S. N. Chopra, J. G. Ekerdt, S. Agarwal, W. M. M. Kessels (Erwin) and A. J. M. Mackus: J. Vac. Sci. Technol. A, 39 (2021) 032412.? 

  19. J. Qi, D. T. Zimmerman, G. J. Weisel and B. G. Willis: J. Chem. Phys., 147 (2017) 154702.? 

  20. H. M. Kim, J. H. Lee, S. H. Lee, R. Harada, T. Shigetomi, S. Lee, T. Tsugawa, B. Shong and J. S. Park: Chem. Mater., 33 (2021) 4353.? 

  21. M. M. Kerrigan, J. P. Klesko and C. H. Winter: Chem. Mater., 29 (2017) 7458.? 

  22. M. Breeden, V. Wang, J. Spiegelman, A. Anurag, S. F. Wolf, D. Moser, R. K. Kanjolia, M. Moinpour, J. Woodruff, S. Nemani, K. Wong, C. H. Winter and A. C. Kummel: ACS Appl. Nano Mater., 4 (2021) 8447.? 

  23. T. D. M. Elko-Hansen and J. G. Ekerdt: ECS Trans., 80 (2017) 29.? 

  24. X. Jiang, H. Wang, J. Qi and B. G. Willis: J. Vac. Sci. Technol. A, 32 (2014) 041513.? 

  25. B. G. Willis, J. Qi, X. Jiang, J. Chen, G. J. Weisel and D. T. Zimmerman: ECS Trans., 64 (2014) 253.? 

  26. M. Kim, S. Nabeya, D. K Nandi, K. Suzuki, H. M. Kim, S. Y. Cho, K. B. Kim and S. H. Kim: ACS Omega, 4 (2019) 11126.? 

  27. M. M. Kerrigan, J. P. Klesko, K. J. Blakeney and C. H. Winter: ACS Appl. Mater. Interfaces, 10 (2018) 14200.? 

  28. P. S. Yang, Z. da Huang, K. W. Huang and M. J. Chen: Ultramicroscopy, 211 (2020) 112952.? 

  29. A. J. M. MacKus, N. F. W. Thissen, J. J. L. Mulders, P. H. F. Trompenaars, M. A. Verheijen, A. A. Bol and W. M. M. Kessels: J. Phys. Chem. C, 117 (2013) 10788.? 

  30. A. J. M. MacKus, S. A. F. Dielissen, J. J. L. Mulders and W. M. M. Kessels: Nanoscale, 4 (2012) 4477.? 

  31. J. An, Y. B. Kim and F. B. Prinz: Phys. Chem. Chem. Phys., 15 (2013) 7520.? 

  32. I. Zyulkov, M. Krishtab, S. De Gendt and S. Armini: ACS Appl. Mater. Interfaces, 9 (2017) 31031.? 

  33. M. M. Minjauw, H. Rijckaert, I. Van Driessche, C. Detavernier and J. Dendooven: Chem. Mater., 31 (2019) 1491.? 

  34. A. Brady-Boyd, R. O'Connor, S. Armini, V. Selvaraju, M. Pasquali, G. Hughes and J. Bogan: Appl. Surf. Sci., 586 (2022) 152679.? 

  35. H. Y. Nie and H. R. Jahangiri-Famenini: Appl. Sci., 12 (2022) 4932.? 

  36. A. Badia, R. B. Lennox and L. Reven: Acc. Chem. Res., 33 (2000) 475.? 

  37. R. Wojtecki, J. Ma, I. Cordova, N. Arellano, K. Lionti, T. Magbitang, T. G. Pattison, X. Zhao, E. Delenia, N. Lanzillo, A. E. Hess, N. F. Nathel, H. Bui, C. Rettner, G. Wallraff and P. Naulleau: ACS Appl. Mater. Interfaces, 13 (2021) 9081.? 

  38. R. Bogue: Assembly Automation, 28 (2008) 211.? 

  39. A. Ulman: Chem. Rev., 96 (1996) 1533.? 

  40. H. Junsic, D. W. Porter, R. Sreenivasan, P. C. McIntyre and S. F. Bent: Langmuir, 23 (2007) 1160.? 

  41. X. Jiang and S. F. Bent: J. Phys. Chem. C, 113 (2009) 17613.? 

  42. R. K. Smith, P. A. Lewis and P. S. Weiss: Prog. Surf. Sci., 75 (2004) 1.? 

  43. I. Zyulkov, V. Madhiwala, E. Voronina, M. Snelgrove, J. Bogan, R. O'Connor, S. De Gendt and S. Armini: ACS Appl. Mater. Interfaces, 12 (2020) 4678.? 

  44. J. Lee, J. M. Lee, J. H. Ahn, T. J. Park and W. H. Kim: Adv. Mater. Interfaces, 9 (2022) 2102364.? 

  45. H. B. R. Lee, W. H. Kim, J. W. Lee, W. M. Kim, K. Heo, I. C. Hwang, Y. Park, S. Hong and H. Kim: J. Electrochem. Soc., 157 (2010) D10.? 

  46. H. B. R. Lee and H. Kim: ECS Trans., 16 (2008) 219.? 

  47. O. Seitz, M. Dai, F. S. Aguirre-Tostado, R. M. Wallace and Y. J. Chabal: J. Am. Chem. Soc., 131 (2009) 18159.? 

  48. W. H. Kim, H. B. R. Lee, K. Heo, Y. K. Lee, T. M. Chung, C. G. Kim, S. Hong, J. Heo and H. Kim: J. Electrochem. Soc., 158 (2011) D1.? 

  49. B. H. Lee, J. K. Hwang, J. W. Nam, S. U. Lee, J. T. Kim, S. M. Koo, A. Baunemann, R. A. Fischer and M. M. Sung: Angew. Chem., 121 (2009) 4606.? 

  50. E. Farm, M. Kemell, M. Ritala and M. Leskela: Thin Solid Films, 517 (2008) 972.? 

  51. B. Saha, W. Q. Toh, E. Liu, S. B. Tor, D. E. Hardt and J. Lee: J. Micromech. Microeng., 26 (2015) 013002.? 

  52. X. Jiang and S. F. Bent: J. Electrochem. Soc., 154 (2007) D648.? 

  53. E. Farm, M. Kemell, M. Ritala and M. Leskela: Chem. Vap. Deposition, 12 (2006) 415.? 

  54. D. Ryan, B. A. Parviz, V. Linder, V. Semetey, S. K. Sia, J. Su, M. Mrksich and G. M. Whitesides: Langmuir, 20 (2004) 9080.? 

  55. C. Prasittichai, K. L. Pickrahn, F. S. Minaye Hashemi, D. S. Bergsman and S. F. Bent: ACS Appl. Mater. Interfaces, 6 (2014) 17831.? 

  56. D. L. Allara: Biosens. Bioelectron., 10 (1995) 771.? 

  57. R. Khan, B. Shong, B. G. Ko, J. K. Lee, H. Lee, J. Y. Park, I. K. Oh, S. S. Raya, H. M. Hong, K. B. Chung, E. J. Luber, Y. S. Kim, C. H. Lee, W. H. Kim and H. B. R. Lee: Chem. Mater., 30 (2018) 7603.? 

  58. J. Soethoudt, Y. Tomczak, B. Meynaerts, B. T. Chan and A. Delabie: J. Phys. Chem. C, 124 (2020) 7163.? 

  59. P. Deminskyi, A. Haider, H. Eren, T. M. Khan and N. Biyikli: J. Vac. Sci. Technol. A, 39 (2021) 022402.? 

  60. M. J. M. Merkx, S. Vlaanderen, T. Faraz, M. A. Verheijen, W. M. M. Kessels and A. J. M. MacKus: Chem. Mater., 32 (2020) 7788.? 

  61. R. H. J. Vervuurt, A. Sharma, Y. Jiao, W. M. M. Kessels and A. A. Bol: Nanotechnology, 27 (2016) 405302.? 

  62. X. Jiang and S. F. Bent: ECS Trans., 3 (2007) 249.? 

  63. K. J. Park, J. M. Doub, T. Gougousi and G. N. Parsons: Appl. Phys. Lett., 86 (2005) 051903.? 

  64. R. W. Mann and L. A. Clevenger: J. Electrochem. Soc., 141 (1994) 1347.? 

  65. H. Jeon, G. Yoon and R. J. Nemanich: Thin Solid Films, 299 (1997) 178.? 

  66. S. Choi, C. Christiansen, L. Cao, J. Zhang, R. Filippi, T. Shen, K. B. Yeap, S. Ogden, H. Zhang, B. Fu and P. Justison: IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings (2018) 1.? 

  67. M. Hosseini, D. Tierno, J. W. Maes, C. Zhu, S. Datta, Y. Byun, M. Mousa, N. Jourdan, E. D. Litta and N. Horiguchi: 2022 IEEE International Interconnect (2022) 27.? 

  68. J. Cai J. Zhang, K. Cao, M. Gong, Y. Lang, X. Liu, S. Chu, B. Shan and R. Chen: ACS Appl. Nano Mater., 1 (2018) 522.? 

  69. L. Zhang, Z. Zhao, M. N. Banis, L. Li, Y. Zhao, Z. Song, Z. Wang, T. Sham, R. Yi, M. Zheng, J. Gong and X. Sun: J. Mater. Chem. A, 6 (2018) 24397.? 

  70. K. Cao, Q. Zhu, B. Shan and R. Chen: Sci. Rep., 5 (2014) 1.? 

  71. M. J. Jung, M. Ji, J. H. Han, Y.-I. Lee, S.-T. Oh, M. H. Lee and B. J. Choi: Ceram. Int., 48 (2022) 36773.? 

  72. S. Choi, J. H. Han and B. J. Choi: J. Powder Mater., 26 (2019) 243.? 

  73. D. H. Kim, D.-Y. Shin, Y.-G. Lee, G.-H. An, J. H. Han, H.-J. Ahn and B. J. Choi: Ceram. Int., 44 (2018) 19554. 

저자의 다른 논문 :

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로