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[국내논문] 계단형 양자우물 구조가 적용된 센서 광원 용 발광다이오드 소자
Light Emitting Diode with Multi-step Quantum Well Structure for Sensing Applications 원문보기

Journal of sensor science and technology = 센서학회지, v.32 no.6, 2023년, pp.441 - 446  

박성민 (단국대학교 화학공학과) ,  이승주 (단국대학교 화학공학과) ,  우자정 (단국대학교 화학공학과) ,  김유경 (단국대학교 화학공학과) ,  장수환 (단국대학교 화학공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Electrical and optical characteristics of the GaN-based light-emitting diode (LED) with the improved multi-quantum well (MQW) structure have been studied for light source in bio-sensing systems. Novel GaN/In0.1GaN/In0.2GaN/In0.1GaN/GaN and Al0.1GaN/GaN/In0.2GaN/GaN/Al0.1GaN (MQW) structures were sug...

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참고문헌 (23)

  1. K. S. Hwang, S. K. Kim, and T. S. Kim, "Biosensors: a review", J. Sens. Sci. Technol., Vol. 18, No. 4, pp. 251-262, 2009.? 

  2. T. W. Kim and I. K. Park, "Skin-interfaced Wearable Biosensors: A Mini-Review", J. Sens. Sci. Technol., Vol. 31, No. 2, pp. 71-78, 2022.? 

  3. P. Damborsky, J. Svitel, and J. Katrlik, "Optical biosensors", Essays. Biochem., Vol. 60, No. 1, pp. 91-100, 2016.? 

  4. V. P. Rachim, J. An, Q. N. Pham, and W.-Y. Chung, "RGB-LED-based Optical Camera Communication using Multilevel Variable Pulse Position Modulation for Healthcare Applications", J. Sens. Sci. Technol., Vol. 27, No. 1, pp. 6-12, 2018.? 

  5. B. A. Prabowo, A. Purwidyantri, and K.-C. Liu, "Surface plasmon resonance optical sensor: A review on light source technology", Biosensors, Vol. 8, No. 3, pp. 80(1)-80(27), 2018.? 

  6. T. Arakawa, T. Koshida, T. Gessei, K. Miyajima, D. Takahashi, H. Kudo, K. Yano, and K. Mitsubayashi, "Biosensor for L-phenylalanine based on the optical detection of NADH using a UV light emitting diode", Microchimica Acta, Vol. 173, No. 1-2, pp. 199-205, 2011.? 

  7. A. Wati, R. Rusva, and L. Umar, "Effect of LED Wavelengths and Light-Dark Cycle on Photosynthetic Production of Chlorella Kessleri for Algae-Based Biosensor Optimization", J. Phys. Conf. Ser., Vol. 1351, No. 1, pp. 012003(1)-012003(7), 2019.? 

  8. S. Y. Lee, K.-I. Park, C. Huh, M. Koo, H. G. Yoo, S. Kim, C. S. Ah, G. Y. Sung, and K. J. Lee, "Water-resistant flexible GaN LED on a liquid crystal polymer substrate for implantable biomedical applications", Nano energy, Vol. 1, No. 1, pp. 145-151, 2012.? 

  9. J.-C. Wang, C.-H. Fang, Y.-F. Wu, W.-J. Chen, D.-C. Kuo, P.-L. Fan, J.-A. Jiang, and T.-E. Nee, "The effect of junction temperature on the optoelectrical properties of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes", J. Lumin., Vol. 132, No. 2, pp. 429-433, 2012.? 

  10. H. C. Lee, J. B. Park, J. W. Bae, P. T. T. Thuy, M. C. Yoo, and G. Y. Yeom, "Effect of the surface texturing shapes fabricated using dry etching on the extraction efficiency of vertical light-emitting diodes", Solid-State Electron., Vol. 52, No. 8, pp. 1193-1196, 2008.? 

  11. Y.-S. Wang, N.-C. Chen, C.-Y. Lu, and J.-F. Chen, "Optical joint density of states in InGaN/GaN based multiple-quantum-well light-emitting diodes", Physica B: Condens. Matter, Vol. 406, No. 22, pp. 4300-4303, 2011.? 

  12. B. Beaumont, S. Haffouz, P. Gibart, M. Leroux, Ph. Lorenzini, E. Calleja, and E. Munoz, "Violet GaN based light emitting diodes fabricated by metal organics vapour phase epitaxy", Mater. Sci. Eng. B, Vol. 50, No.1-3, pp. 296-301, 1997.? 

  13. C. Wetzel, M. Zhu, J. Senawiratne, T. Detchprohm, P. D. Persans, L. Lin, E. A. Preble, and D. Hanser, "Light-emitting diode development on polar and non-polar GaN substrates", J. Cryst. Growth, Vol. 310, No. 17, pp. 3987-3991, 2008.? 

  14. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. R. Chen, and J. M. Tsai, "4 00-nm InGaN - GaN and InGaN - AlGaN Multiquantum Well Light-Emitting Diodes", IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., Vol. 8, No. 4, pp. 744-748, 2002.? 

  15. C. Jia, T. Yu, X. Feng, K. Wang, and G. Zhang, "Performance improvement of GaN-based near-UV LEDs with InGaN/AlGaN superlattices strain relief layer and AlGaN barrier", Superlattices and Microstructures, Vol. 97, pp. 417-423, 2016.? 

  16. I. V. Rozhansky and D. A. Zakheim, "Analysis of dependence of electroluminescence efficiency of AlInGaN LED heterostructures on pumping", Phys. Status Solidi C, Vol. 3, No. 6, pp. 2160-2164, 2006.? 

  17. A. Y. Kim, W. Gotz, D. A. Steigerwald, J. J. Wierer, N. F. Gardner, J. Sun, S. A. Stockman, P. S. Martin, M. R. Krames, R. S. Kern, and F. M. Steranka, "Performance of high-power AlInGaN light emitting diodes", Phys. Status Solidi A, Vol. 188, No. 1, pp. 15-21, 2001.? 

  18. M.-H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, "Origin of efficiency droop in GaN-based light-emitting diodes", Appl. Phys. Lett., Vol. 91, No. 18, pp. 183507(1)-183507(3), 2007.? 

  19. Y. C. Shen, G. O. Muller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, "Auger recombination in InGaN measured by photoluminescence", Appl. Phys. Lett., Vol. 91, No. 14, pp. 141101(1)-141101(3), 2007.? 

  20. A. A. Efremov, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, D. A. Larinovich, Y. T. Rebane, D. V. Tarkhin, and Y. G. Shreter, "Effect of the joule heating on the quantum efficiency and choice of thermal conditions for high-power blue InGaN/GaN LEDs", Semiconductors, Vol. 40, No. 5, pp. 605-610, 2006.? 

  21. Y. Yang, X. A. Cao, and C. H. Yan, "Rapid efficiency rolloff in high-quality green light-emitting diodes on freestanding GaN substrates", Appl. Phys. Lett., Vol. 94, No. 4, pp. 041117(1)-041117(3), 2009.? 

  22. J.-Y. Chang, M.-C. Tsai, and Y.-K. Kuo, "Advantages of blue InGaN light-emitting diodes with AlGaN barriers", Opt. Lett., Vol. 35, No. 9, pp. 1368-1370, 2010.? 

  23. M. A. A. Z. M. Sahar, Z. Hassan, S. S. Ng, and N. A. Hamzah, "Highly efficient near ultraviolet LEDs using InGaN/Gan/AlxGa1-xN/GaN multiple quantum wells at high teperature on sapphire substrate", Mater. Sci. Semicond. Process., Vol. 156, pp. 107298(1)-107298(9), 2023. 

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