$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

[국내논문] Diffusion 공정 내 스크러버 퇴적 부산물의 위험성 평가
Risk Evaluation of Scrubber Deposition By-Products in the Diffusion Process

한국가스학회지 = Journal of the Korean institute of gas, v.28 no.2, 2024년, pp.76 - 83  

김민지 (아주대학교 환경공학과) ,  이진백 (아주대학교 환경공학과) ,  정승호 (아주대학교 환경안전공학과) ,  이근원 (아주대학교 환경안전공학과)

초록
AI-Helper 아이콘AI-Helper

반도체 제조공정 중 Diffusion 공정에서는 미세 분말 등 여러 반응성 부산물이 발생한다. 부산물은 후처리 및 배기처리 시스템에 설치된 배관 안에 퇴적되고, 잠재적으로 상당한 분진폭발 위험이 있을 수 있다. 본 연구에서는 Diffusion 공정에서 발생하는 물질 검증, 분석시료 선정, 위험성 분석 3가지 방법으로 진행하였다. Diffusion 공정에서 취급 중인 물질 중 부산물 분진이 발생할 수 있는 원료는 ZrO2, TEOS, E-DEOS로 확인되었다. 각 처리시설에서 채취한 부산물을 대상으로 최소착화에너지, 분진폭발 테스트를 수행하였다. 그 결과 최소착화에너지의 경우 모든 부산물이 점화되지 않았다. 하지만, 분진폭발 테스트 결과 ZrO2이 부산물 분진에서 최대 7.6 bar, Kst는 73.3 bar·m/s로 폭발 위험성이 확인되었다. 이를 통해 반도체 공정에서 이러한 위험성을 저감 시키기 위해 배관 내부의 퇴적층이 과도하게 쌓이지 않도록 관리해야 한다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In the semiconductor manufacturing process, the Diffusion process generates various reactive by-products. These by-products are deposited inside the pipes of post-processing and exhaust treatment systems, posing a potential risk of substantial dust explosions. In this study, three methods material v...

주제어

표/그림 (14)

참고문헌 (22)

  1. Kim, J. D., and Han, S. A., and Rhim, J. K., and?Yang, W. B., "A Study on the Internal Flow?Analysis of Gas Cylinder Cabinet for Specialty Gas?of Semiconductor", KIGAS, 24(5), 74-75, (2020) 

  2. Lee, K. W., "An Evaluation of Chemical Reactivity?Hazard in Semiconductor Process", Spring conference of the KIGAS , 5-5, (2015) 

  3. Lee, D. J., Kim, S. R., Kim, S. G, Kang, C. S., Lee,?J. W., "A Study on measures to prevent leakage of?process fluid from the VCR fitting used in the semiconductor manufactoring process", KIGAS, 27(2),?79~85, (2023) 

  4. Trammell, S., McIntyre, A., "Environmental safety?and health aspects of R&D and manufacturing with?advanced processing materials - best known methods?and standardization", The SESHA 36th Annual?International High Technology ESH Symposium?and Exhibition, Scottsdale, AZ, USA, (2014) 

  5. Yang, W. B, Seo, B. W., Kim, S. G., "Accident Investigation Report of TEMAZ Explosion in Semiconductor Process", Korea Occupational Safety?and Health Agency (KOSHA), Ulsan, Republic of?Korea, (2015) 

  6. Yang, W. B., Rhim, J. K., Hong, S. M., "A case?study on the TEMAZ explosion accident in semiconductor process", KIGAS, 21(6), 52-60, (2017) 

  7. Kim, J. D., Kwon, K. S., Rhim, J.K., Ynag, W.B.,?"A Study on Flow Analysis according to the Cause?of Gas Leakage in the Specialty Gas Supply Device?for Semiconductors", KIGAS, 25(2), 74-75, (2021) 

  8. Hausmann, D.M., Kim, E., Becker, J., Gordon,?R.G., "Atomic layer deposition of hafnium and zirconium oxides using metal amide precursors",?Chem. Mater., 14, 4350-4358, (2002) 

  9. Sherer, J.M., Semiconductor Industry: Wafer Fab?Exhaust Management CRC Press, Taylor & Francis?Group, Boca Raton, FL, USA, (2010) 

  10. Chen, J.R., "Characteristics of fire and explosion?in semiconductor fabrication processes", Process?Saf. Prog., 21, 19-2, (2002) 

  11. Lee, K., Han, I, "Study on the Causes of Duct?Rupture accident of Exhaust gas facility in the Zirconium Deposition Process", Spring conference?of the KIGAS, 207-207, (2016) 

  12. Zhang, S., Speed, D.E., Trammell, S.R., Sharfstein, S.T., "Reactivity of deposited byproducts?generated from ZrO2 atomic layer deposition" J.?Loss Prev. Process Ind, 45, 78-87, (2017) 

  13. Lee, K., Song, D., Lee, J., Lee, C. G., Shin, G. A.,?& Jung, S., "Evaluating effectiveness of dust?by-product treatment with scrubbers to mitigate?explosion risk in ZrO2 atomic layer deposition?process" Journal of Hazardous Materials, 400,?123284, (2020) 

  14. O'Neill, B.J., Jackson,D.H.K., Lee, J., Canlas, C.,?Stair, P.C., Marshall, C.L., Elam, J.W., Kuech,T.F.,?Dumesic, J.A., Huber,G.W., "Catalyst design with?atomic layer deposition", ACS Catal., 5, 1804-1825,?(2015) 

  15. Randeberg, E., Eckhoff, R.K., "Initiation of dust?explosions by electric spark discharges triggered?by the explosive dust cloud itself", J. Loss Prev.?Process Ind., 19, 154-160, (2006) 

  16. Jonassen, N.I.E.L.S., Explosions and static electricity, In Electrical Overstress/Electrostatic 116?Discharge Symposium Proceedings, IEEE, 1-337,?(1995) 

  17. ASTM E1226, standard Test Method for?Explosibility of Dust Cloulds, ASTM, (2019) 

  18. Man, C.K., Harris, M.L., "Participation of large?particles in coal dust explosions", J. Loss Prev.?Process Ind., 27, 49-54, (2014) 

  19. Crowl, D.A., Louvar, J.F., Chemical Process?Safety: Fundamentals with Applications (3rd ed.),?Prentice Hall, Upper Saddle River, NJ, USA,?(2011) 

  20. Han, W.S., "Changes in explosion characteristics?due to mixing of Al and Zn dust", Spring Academic Paper Presentation Paper Collection, 435-437,?(2011) 

  21. Amyotte, P.R., Echhoff, R.K., "Dust Explosion?Causation, Prevention and Mitigation: An Overview", J. Chem. Health & Safety, 17(1), 15~28,?(2010) 

  22. Eckhoff, R.K., Dust Explosion in the Process?Industries, 3rd edition, Gulf Professional Publishing, USA, (2003) 

저자의 다른 논문 :

관련 콘텐츠

오픈액세스(OA) 유형

FREE

Free Access. 출판사/학술단체 등이 허락한 무료 공개 사이트를 통해 자유로운 이용이 가능한 논문

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로