[논문]Structural analysis of amorphous thin films by time of flight mass spectrometry

Tsuboi, Seiji; Matsuse, Mitsutaka; Kawasaki, Masashi; Matsuda, Akihisa; Koinuma, Hideomi

doi:10.1016/0022-3093(95)00650-8

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[해외논문] Structural analysis of amorphous thin films by time of flight mass spectrometry

Journal of non-crystalline solids, v.198/200 pt.1, 1996년, pp.33 - 35

Tsuboi, Seiji (Corresponding author. Fax: +81-45-9245362) , Matsuse, Mitsutaka (Research Laboratory of Engineering Materials, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku Yokohama 226, Japan) , Kawasaki, Masashi (Research Laboratory of Engineering Materials, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku Yokohama 226, Japan) , Matsuda, Akihisa (Electrotechnical Laboratory, 1-1-4 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305, Japan) , Koinuma, Hideomi (Research Laboratory of Engineering Materials, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku Yokohama 226, Japan)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractLaser desorption time of flight mass spectrometry (TOF-MS) was applied to the characterization of three kinds of silicon materials; single crystalline silicon wafer (c-Si), hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) prepared by silane plasma chemical vapor deposited, and amorphous silicon (a-Si) deposited in vacuum by pulsed laser ablation of c-Si target. The peak with the largest amplitude appeared at mz = 28 for every specimen. Other predominant fragments were differently distributed from one specimen to another; Si2 and Si3, Six (x = 2−6) clusters, and Si5 cluster were for c-Si, a-Si:H and a-Si, respectively. The results indicate the possibility of this technique capable of an analysis of medium range order in amorphous thin films.

참고문헌 (5)

J. Amer. Chem. Soc. Zachariasen 54 3841 1932 10.1021/ja01349a006

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J. Non-Cryst. Solids Polk 5 365 1971 10.1016/0022-3093(71)90038-X

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J. Non-Cryst. Solids. Menelle 77-78 213 1985
Jpn. J. Appl. Phys. Hishikawa 24 385 1985 10.1143/JJAP.24.385

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Jpn. J. Appl. Phys. Muramatsu 28 L1092 1989 10.1143/JJAP.28.L1092

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