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[해외논문] Light-intensity dependence of excess carrier lifetimes

Journal of non-crystalline solids, v.198/200 pt.1, 1996년, pp.271 - 275  

Adriaenssens, G.J. (Corresponding author. Tel.: +32-16 327 129) ,  Baranovskii, S.D. (fax: +32-16 327 987) ,  Fuhs, W. (Laboratorium voor Halfgeleiderfysica, K.U. Leuven, Celestijnenlaan 200D, 3001 Heverlee-Leuven, Belgium) ,  Jansen, J. (Fachbereich Physik, Philipps Universitä) ,  Öktü, Ö. (t Marburg, 35032 Marburg, Germany)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

AbstractIt has been widely assumed that measured photoconductivity response times do correspond to photocarrier recombination lifetimes. Such an assumption is shown to lead to the conclusion that, if true, the light-intensity dependence of the photoconductivity and of the response time, σph &...

참고문헌 (14)

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  3. Philos. Mag. Hoheisel B57 411 1988 10.1080/13642818808208513 

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  10. Crandall 245 1984 Semiconductors and Semimetals, Vol. 21: Hydrogenated Amorphous Silicon, Part B 

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  14. Phys. Rev. Simmons B4 502 1971 10.1103/PhysRevB.4.502 

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