[논문]Density of states and capture cross-sections in annealed and light-soaked hydrogenated amorphous silicon layers

Longeaud, C.; Kleider, J.P.

doi:10.1016/0022-3093(95)00707-5

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[해외논문] Density of states and capture cross-sections in annealed and light-soaked hydrogenated amorphous silicon layers

Journal of non-crystalline solids, v.198/200 pt.1, 1996년, pp.355 - 358

Longeaud, C. (Corresponding author. Tel.: +33-1 69 85 16 45) , Kleider, J.P. (fax: +33-1 69 41 83 18)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractThe density of states of a lightly p-doped hydrogenated amorphous silicon sample and the related transport behaviours were extensively studied and compared with those of intrinsic samples both in the annealed and light-soaked states. It is observed that p-doping increases the density of positively charged dangling bonds in the annealed samples, in agreement with the predictions of the defect-pool model. After light-soaking, a decrease of positively charged dangling bonds and an increase of neutral ones in the p-doped sample are observed, which is still in qualitative agreement with the predictions of the model. However, quantitatively, the results of modulated photocurrent experiments cannot be reproduced on the basis of this model. It is proposed that light-soaking either induces a variation of the defect capture cross-sections or creates a distribution of states in the gap for which the defect-pool model does not account.

참고문헌 (10)

Phys. Rev. Asensi B47 13295 1993 10.1103/PhysRevB.47.13295

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Phys. Rev. Schumm B49 2427 1994 10.1103/PhysRevB.49.2427

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J. Non-Cryst. Solids Longeaud 164-166 423 1993 10.1016/0022-3093(93)90580-Q

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J. Appl. Phys. Kleider 78 317 1995 10.1063/1.360678

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Phys. Rev. Longeaud B48 8715 1993 10.1103/PhysRevB.48.8715

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Kleider Vols. 44-46 597 1995
Phys. Rev. Street B35 1316 1987 10.1103/PhysRevB.35.1316

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Phys. Rev. Powell B48 10815 1993 10.1103/PhysRevB.48.10815

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J. Non-Cryst. Solids Hikita 164-166 219 1993 10.1016/0022-3093(93)90530-B

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Longeaud 92 1994 Proc. 12th EPSEC

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