[논문]Properties of amorphous boron nitride thin films

Zedlitz, R.; Heintze, M.; Schubert, M.B.

doi:10.1016/0022-3093(95)00748-2

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[해외논문] Properties of amorphous boron nitride thin films

Journal of non-crystalline solids, v.198/200 pt.1, 1996년, pp.403 - 406

Zedlitz, R. (Institut fü) , Heintze, M. (r Physikalische Elektronik, Universitä) , Schubert, M.B. (t Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569 Stuttgart, Germany)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractAmorphous boron nitride films were prepared by very high frequency plasma chemical vapour deposition. The material obtained was stoichiometric and the choice of preparation conditions (substrate temperature, gas phase pressure) critically affected hydrogen concentration and bonding. The films showed a bandgap of typically 5 eV. A considerable density of electronic states in the bandgap and fairly flat band tails were revealed by photothermal deflection spectroscopy. The electric break-through field strength was about 2.2 MV/cm. From the dependence of the infrared absorption on the substrate temperature, an IR absorption band at 910 cm−1 was attributed to the wagging mode of the BH vibration. The amorphous phase of BN consists almost exclusively of sp2 bonding. In samples which contain sp3 bonding also the formation of a crystalline phase is detected by X-ray diffraction.

참고문헌 (8)

Thin Solid Films Arya 157 267 1988 10.1016/0040-6090(88)90008-9

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Jpn. J. Appl. Phys. Miyamoto 22 L216 1983 10.1143/JJAP.22.L216

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J. Phys. Heintze D26 1781 1993
Lotter 219 229 1991
J. Vac. Sci. Technol. Trehan A8 4026 1990 10.1116/1.576471

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Bernhard 219 289 1991
Phys. Rev. Bustarret B38 8171 1988 10.1103/PhysRevB.38.8171

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Zedlitz 297 55 1993

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