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NTIS 바로가기Journal of non-crystalline solids, v.198/200 pt.1, 1996년, pp.403 - 406
Zedlitz, R. (Institut fü) , Heintze, M. (r Physikalische Elektronik, Universitä) , Schubert, M.B. (t Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569 Stuttgart, Germany)
AbstractAmorphous boron nitride films were prepared by very high frequency plasma chemical vapour deposition. The material obtained was stoichiometric and the choice of preparation conditions (substrate temperature, gas phase pressure) critically affected hydrogen concentration and bonding. The film...
Thin Solid Films Arya 157 267 1988 10.1016/0040-6090(88)90008-9
Jpn. J. Appl. Phys. Miyamoto 22 L216 1983 10.1143/JJAP.22.L216
J. Phys. Heintze D26 1781 1993
Lotter 219 229 1991
J. Vac. Sci. Technol. Trehan A8 4026 1990 10.1116/1.576471
Bernhard 219 289 1991
Phys. Rev. Bustarret B38 8171 1988 10.1103/PhysRevB.38.8171
Zedlitz 297 55 1993
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