[논문]The quasineutrality condition in amorphous semiconductors: Reformulation of the ‘lifetime/relaxation’ criterion

Shah, A.; Hubin, J.; Platz, R.; Goerlitzer, M.; Wyrsch, N.

doi:10.1016/0022-3093(95)00760-1

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[해외논문] The quasineutrality condition in amorphous semiconductors: Reformulation of the ‘lifetime/relaxation’ criterion

Journal of non-crystalline solids, v.198/200 pt.1, 1996년, pp.548 - 551

Shah, A. (Institute of Microtechnology, University of Neuchâ) , Hubin, J. (tel, Breguet 2, CH-2000 Neuchâ) , Platz, R. (tel, Switzerland) , Goerlitzer, M. (Institute of Microtechnology, University of Neuchâ) , Wyrsch, N. (tel, Breguet 2, CH-2000 Neuchâ)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractThe concepts of lifetime and relaxation semiconductors introduced by van Roosbroeck and Casey are reconsidered for amorphous semiconductors and the effect of localized states on the lifetime/relaxation criterion specified: The quantity to be considered is τρ/Td, where Td is (as before) the dielectric relaxation time, but τρ is now the lifetime of the total charge including charge stored in localized states. τρ is equal to the free carrier lifetime times a correction factor that is much larger than unity for amorphous semiconductors. Bandtail states and dangling bonds act differently on the criterion. The correction factor is frequency-dependent and decreases at higher frequencies. Two illustrative experimental examples (low substrate temperature a-Si:H, a-SiC:H alloys) are given, showing borderline cases.

참고문헌 (9)

Phys. Rev. van Roosbroeck B5 2154 1972 10.1103/PhysRevB.5.2154

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J. Appl. Phys. Ritter 62 4563 1987 10.1063/1.339051

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IEEE Trans. Electron. Dev. Hubin 36 2789 1989 10.1109/16.40939

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J. Appl. Phys. Hubin 78 6050 1995 10.1063/1.360545

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J. Appl. Phys. Balberg 67 6329 1990 10.1063/1.345152

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Sauvain 1560 1990 Proc. of the 21st IEEE PV Specialist Conf.
Sauvain 1992
J. Non-Cryst. Solids Shah 114 402 1989 10.1016/0022-3093(89)90598-X

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J. Non-Cryst. Solids Trfimov 137&138 483 1991 10.1016/S0022-3093(05)80160-7

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