[논문]Growth of high quality amorphous silicon-germanium films using low pressure remote electron-cyclotron-resonance discharge

Kaushal, Sanjeev; Dalal, Vikram; Xu, Jun

doi:10.1016/0022-3093(95)00764-4

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[해외논문] Growth of high quality amorphous silicon-germanium films using low pressure remote electron-cyclotron-resonance discharge

Journal of non-crystalline solids, v.198/200 pt.1, 1996년, pp.563 - 566

Kaushal, Sanjeev (Iowa State University, Dept. of Electrical and Computer Engineering, Ames, IA 50011, USA) , Dalal, Vikram (Corresponding author. Iowa State University, Microelectronics Research Center, Ames, IA 50011, USA. Tel.: +1-515 294 1077) , Xu, Jun (Fax: +1-515 294 9584.)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractThe growth and properties of amorphous silicon-germanium [a-(Si,Ge):H] films using a low pressure remote electron-cyclotron-resonance (ECR) discharge are reported on. It is shown that the use of ion bombardment using He ions at low pressures leads to the growth of material with low H concentration and excellent electronic properties. High photo-sensitivities and low Urbach energies and sub-gap defect densities using He discharges were obtained. It is also shown that the band gap of the film for a given GeSi ratio is less when He is used as the plasma gas compared with when H is used. The use of He allows a lower gap to be achieved even for a-Si:H, without sacrificing the electronic properties.

참고문헌 (3)

Zhong 336 493 1994
Baldwin 1037 1993 Proc. of 23rd. IEEE Photovolt. Conf.
J. Non-Cryst. Solids Lee 114 316 1989 10.1016/0022-3093(89)90149-X

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