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NTIS 바로가기Journal of non-crystalline solids, v.198/200 pt.1, 1996년, pp.563 - 566
Kaushal, Sanjeev (Iowa State University, Dept. of Electrical and Computer Engineering, Ames, IA 50011, USA) , Dalal, Vikram (Corresponding author. Iowa State University, Microelectronics Research Center, Ames, IA 50011, USA. Tel.: +1-515 294 1077) , Xu, Jun (Fax: +1-515 294 9584.)
AbstractThe growth and properties of amorphous silicon-germanium [a-(Si,Ge):H] films using a low pressure remote electron-cyclotron-resonance (ECR) discharge are reported on. It is shown that the use of ion bombardment using He ions at low pressures leads to the growth of material with low H concent...
Zhong 336 493 1994
Baldwin 1037 1993 Proc. of 23rd. IEEE Photovolt. Conf.
J. Non-Cryst. Solids Lee 114 316 1989 10.1016/0022-3093(89)90149-X
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