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NTIS 바로가기Journal of non-crystalline solids, v.198/200 pt.2, 1996년, pp.907 - 910
Lau, S.P. (Corresponding author. Fax: +44-1792-295244) , Marshall, J.M. (Electronic Materials Centre, Department of Materials Engineering, University of Wales Swansea, Singleton Park, Swansea SA2 8PP, UK) , Tessler, L.R. (Instituto de Fisica, Universidade Estadual de Campinas, C.P. 6165, 13083-970 Campinas SP, Brazil)
AbstractThe optoelectronic properties of undoped and doped microcrystalline silicon carbide thin films, prepared by excimer (ArF) laser crystallisation of plasma enhanced chemical vapour deposited hydrogenated amorphous silicon carbide, are analysed. All films show more than six orders of magnitude ...
J. Appl. Phys. Matsumoto 67 6538 1990 10.1063/1.345131
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Futagi 283 389 1993
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Lau 339 647 1994
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Appl. Phys. Lett. Matsumoto 42 226 1994 10.1063/1.111979
Lau 1995
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