[논문]Optoelectronic properties of highly conductive microcrystalline SiC produced by laser crystallisation of amorphous SiC

Lau, S.P.; Marshall, J.M.; Tessler, L.R.

doi:10.1016/0022-3093(96)00081-6

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[해외논문] Optoelectronic properties of highly conductive microcrystalline SiC produced by laser crystallisation of amorphous SiC

Journal of non-crystalline solids, v.198/200 pt.2, 1996년, pp.907 - 910

Lau, S.P. (Corresponding author. Fax: +44-1792-295244) , Marshall, J.M. (Electronic Materials Centre, Department of Materials Engineering, University of Wales Swansea, Singleton Park, Swansea SA2 8PP, UK) , Tessler, L.R. (Instituto de Fisica, Universidade Estadual de Campinas, C.P. 6165, 13083-970 Campinas SP, Brazil)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractThe optoelectronic properties of undoped and doped microcrystalline silicon carbide thin films, prepared by excimer (ArF) laser crystallisation of plasma enhanced chemical vapour deposited hydrogenated amorphous silicon carbide, are analysed. All films show more than six orders of magnitude increase relative to the conductivities before the laser crystallisation. It is shown that the increase in conductivity is not predominantly due to the activation of dopant atoms. However, dopant sites, but not carbon content (up to 30 at%), play an important role in electrical transport in μc-SiC. We also report the observation of blue photoluminescence at room temperature from the undoped laser irradiated samples having a carbon content of 35 at%. The spectrum exhibits two visible peaks (1.8 eV and 2.6 eV), while the as-deposited films show only the 1.8 eV peak.

참고문헌 (11)

J. Appl. Phys. Matsumoto 67 6538 1990 10.1063/1.345131

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J. Non-Cryst. Solids Kruangam 97-98 293 1987 10.1016/0022-3093(87)90070-6

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Futagi 283 389 1993
J. Appl. Phys. Demichelis 72 1327 1992 10.1063/1.351742

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J. Non-Cryst. Solids Lau 164-166 813 1993 10.1016/0022-3093(93)91121-I

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Lau 339 647 1994
Phil. Mag. B Lau 1995
Appl. Surf. Sci. Fogarassy 69 231 1993 10.1016/0169-4332(93)90510-I

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Appl. Phys. Lett. El-Kader 64 2555 1994 10.1063/1.111572

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Appl. Phys. Lett. Matsumoto 42 226 1994 10.1063/1.111979

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Lau 1995

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