[논문]Prospects for utilizing low temperature amorphous to crystalline phase transformation to define circuit elements; a new frontier for very large scale integrated technology

Fortmann, Charles M.; Shimizu, Isamu

doi:10.1016/0022-3093(96)00101-9

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[해외논문] Prospects for utilizing low temperature amorphous to crystalline phase transformation to define circuit elements; a new frontier for very large scale integrated technology

Journal of non-crystalline solids, v.198/200 pt.2, 1996년, pp.1146 - 1150

Fortmann, Charles M. (Corresponding author. Tel: +1-516 632 8370) , Shimizu, Isamu (fax: +1-516 632 8490)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractA new concept by which nanometer scale circuit elements can be defined through a relatively simple writing process employing a hydrogen radical beam to convert thin amorphous silicon layers to crystalline silicon is introduced. Later unwanted amorphous regions are removed through exposure to a lower energy hydrogen radical flux (not necessarily focused as the crystalline regions are etch resistant). Through the repeat process of amorphous deposition, regional crystallization, and amorphous etching it should be possible to construct both vertically and horizontally integrated circuit elements with dimensions of the order of a few nm. Dopant species can be co-deposited with the amorphous layers. The circuit writing sequence has other potential applications such as mask patterning.

참고문헌 (14)

J. Appl. Phys. He 76 4728 1994 10.1063/1.357240

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App. Phys. Lett. Akasaka 66 3441 1995 10.1063/1.113381

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Nakata 1992
Fortmann 1994 to be presented at the Spring Meeting of Mater. Res. Soc.
J. Non-Cryst. Solids Saxena 114 801 1989 10.1016/0022-3093(89)90725-4

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Moore 161 1981 Kinetics and Mechanism
Philos. Mag. Lett. Finger 70 247 1994 10.1080/09500839408240982

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IEEE IEDM Tech. Dig. Frank 553 1992
J. Hoyt, private communication (1995).
IEEE IEDM Tech. Dig. Yano 541 1993
Pease 176 1967 Record of IEEE Symposium on Electron, Ion and Laser Beams
J. Vac. Sci. Technol. Narum B6 966 1988 10.1116/1.584289

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J. Vac. Sci. Technol. Kasahara B6 974 1988 10.1116/1.584290

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R.W.F. Pease, private communication (1995).

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