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NTIS 바로가기Journal of non-crystalline solids, v.198/200 pt.2, 1996년, pp.1146 - 1150
Fortmann, Charles M. (Corresponding author. Tel: +1-516 632 8370) , Shimizu, Isamu (fax: +1-516 632 8490)
AbstractA new concept by which nanometer scale circuit elements can be defined through a relatively simple writing process employing a hydrogen radical beam to convert thin amorphous silicon layers to crystalline silicon is introduced. Later unwanted amorphous regions are removed through exposure to...
J. Appl. Phys. He 76 4728 1994 10.1063/1.357240
App. Phys. Lett. Akasaka 66 3441 1995 10.1063/1.113381
Nakata 1992
Fortmann 1994 to be presented at the Spring Meeting of Mater. Res. Soc.
J. Non-Cryst. Solids Saxena 114 801 1989 10.1016/0022-3093(89)90725-4
Moore 161 1981 Kinetics and Mechanism
Philos. Mag. Lett. Finger 70 247 1994 10.1080/09500839408240982
IEEE IEDM Tech. Dig. Frank 553 1992
J. Hoyt, private communication (1995).
IEEE IEDM Tech. Dig. Yano 541 1993
Pease 176 1967 Record of IEEE Symposium on Electron, Ion and Laser Beams
J. Vac. Sci. Technol. Narum B6 966 1988 10.1116/1.584289
J. Vac. Sci. Technol. Kasahara B6 974 1988 10.1116/1.584290
R.W.F. Pease, private communication (1995).
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