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NTIS 바로가기Journal of the Korean Physical Society, v.34 no.5, 1999년, pp.454 - 458
Lee, Ho Nyung , Kim, Yong Tae , Choh, Sung Ho
We have fabricated metal/ferroelectric/insulator/semiconductor (MEFIS) capacitors using Pt, SrBi2Ta2O9 (SBT), and Y2O3 thin films. As a buffer layer between the ferroelectric and the Si substrate, a Y2O3 film is rf-sputtered on the Si substrate and crystallized along the [111] direction during the a...
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