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NTIS 바로가기Journal of the Korean Physical Society, v.35 suppl.4, 1999년, pp.S865 - S869
Kim, Y.-H. , Chang, S.-K. , Lee, S.-H. , Park, S.-W. , Choi, J.-G. , Hahn, D.-H. , Kim, H.-D.
For 0.13 mu m DRAM technology devices, we studied a latchup property and a junction leakage current with different doses and energies of well implant. We found a new scaling relation between holding current (voltage) and [alpha(NPN)+alpha(PNP)], the sum of the common base current gains of the parasi...
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