[논문]Characterization of step coverage change in ultraviolet-transparent plasma enhanced chemical vapor deposition silicon nitride films

Bierner, J.; Jacob, M.; Schö; nherr, H.

doi:10.1116/1.1314394

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[해외논문] Characterization of step coverage change in ultraviolet-transparent plasma enhanced chemical vapor deposition silicon nitride films

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, v.18 no.6, 2000년, pp.2843 - 2846

Bierner, J. (Infineon Technologies, Wernerwerkstr. 2, D-93049 Regensburg, Germany) , Jacob, M. (Infineon Technologies, Wernerwerkstr. 2, D-93049 Regensburg, Germany) , Schönherr, H. (Infineon Technologies, Siemensstr. 2, A-9500 Villach, Austria)

Abstract ▼ AI-Helper

Ultraviolet (UV)-transparent silicon nitride films were deposited in a plasma enhanced chemical vapor deposition reactor. The dependence of the film properties on process parameters has been studied. UV transmittance, refractive index, hydrogen content, and step coverage were compared to UV-opaque films. A significant difference in film growth between UV-opaque and UV-transparent SiNx layers has been detected. When film properties shift to an increased UV transparency, step coverage worsens significantly. This phenomenon is suggested to be caused by a strong reduction to Si-Si bonds for films below stoichiometric composition at low SiH4/NH3 gas flow ratios.

참고문헌 (11)

Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34 4736 1995 10.1143/JJAP.34.4736

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Proc. SPIE 2876 63
Plasma Chem. Plasma Process. 11 455 1991 10.1007/BF01447159

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Plasma Chem. Plasma Process. 10 3 1990 10.1007/BF01460445

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J. Vac. Sci. Technol. A 8 1851 1990 10.1116/1.576815

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J. Electrochem. Soc. 130 2219 1983
Phys. Rev. B 38 8171 1988 10.1103/PhysRevB.38.8171

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J. Appl. Phys. 53 5630 1982 10.1063/1.331445

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