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NTIS 바로가기Electronics letters, v.36 no.25, 2000년, pp.2095 - 2096
Masini, G. (Dept. of Electron. Eng., Rome Univ., Italy) , Colace, L. , Assanto, G. , Luan, H.C. , Kimerling, L.C.
Novel Ge on silicon pin photodetectors have been fabricated and characterised. The devices, designed by considering the defects at the Ge/Si interface, exhibit overall performances that are among the best available, with short-circuit responsivities as high as 0.4 A/W at 1.3 μm, dark currents below 20 mA/cm2 and response times shorter than 800 ps.
0003-6951 Temkin 48 963 1986 10.1063/1.96624
0003-6951 Huang 67 566 1995 10.1063/1.115171
0003-6951 Colace 76 1231 2000 10.1063/1.125993
0038-1101 Oldham 7 153 1964 10.1016/0038-1101(64)90140-6
0003-6951 Luan 75 2909 1999 10.1063/1.125187
0018-9383 Luryi 31 1135 1984 10.1109/T-ED.1984.21676
0003-6951 Samavedam 73 2125 1998 10.1063/1.122399
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