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[해외논문] Influence of sputtering power and the substrate–target distance on the properties of ZrO2 films prepared by RF reactive sputtering

Thin solid films, v.377/378, 2000년, pp.557 - 561  

Gao, Pengtao (Departamento de Fisica, Universidade do Minho, 4710 Braga, Portugal) ,  Meng, L.J (Departamento de Fisica, Instituto Superior de Engenharia do Porto, Rua de Sã) ,  dos Santos, M.P (o Tomé) ,  Teixeira, V (, 4200 Porto, Portugal) ,  Andritschky, M (Departamento de Fisica, Universidade do Minho, 4710 Braga, Portugal)

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AbstractZrO2 films have been prepared by RF reactive sputtering using different substrate–target distances and RF powers. The films have been characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and optical spectroscopy. Both monoclinic and tetragonal phases have been...

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참고문헌 (24)

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  19. J. Phys. E Swanepoel 16 1214 1983 10.1088/0022-3735/16/12/023 

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  24. Thin Solid Films Heitmann 5 61 1970 10.1016/0040-6090(70)90052-0 

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