[논문]An analytical model for the 3D-RESURF effect

doi:10.1016/S0038-1101(00)00133-7

[해외논문] An analytical model for the 3D-RESURF effect

Solid-state electronics, v.44 no.10, 2000년, pp.1753 - 1764

Ng, R. (Corresponding author. Tel.: +44-1223-332766) , Udrea, F. (fax: +44-1223-332662) , Amaratunga, G. (Department of Engineering, Cambridge University, Cambridge CB2 1PZ, UK)

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AbstractThis paper presents an analytical model for the determination of the basic breakdown properties of three-dimensional (3D)-RESURF/CoolMOS/super junction type structures. To account for the two-dimensional (2D) effect of the 3D-RESURF action, 2D models of the electric field distribution are developed. Based on these, expressions are derived for the breakdown voltage as a function of doping concentration and physical dimensions. In addition to cases where the drift regions are fully depleted, the model developed is also applicable to situations involving drift regions which are almost depleted. Accuracy of the analytical approach is verified by comparison with numerical results obtained from the MEDICI device simulator.

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표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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