[논문]An analytical model for the 3D-RESURF effect

doi:10.1016/S0038-1101(00)00133-7

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[해외논문] An analytical model for the 3D-RESURF effect

Solid-state electronics, v.44 no.10, 2000년, pp.1753 - 1764

Ng, R. (Corresponding author. Tel.: +44-1223-332766) , Udrea, F. (fax: +44-1223-332662) , Amaratunga, G. (Department of Engineering, Cambridge University, Cambridge CB2 1PZ, UK)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractThis paper presents an analytical model for the determination of the basic breakdown properties of three-dimensional (3D)-RESURF/CoolMOS/super junction type structures. To account for the two-dimensional (2D) effect of the 3D-RESURF action, 2D models of the electric field distribution are developed. Based on these, expressions are derived for the breakdown voltage as a function of doping concentration and physical dimensions. In addition to cases where the drift regions are fully depleted, the model developed is also applicable to situations involving drift regions which are almost depleted. Accuracy of the analytical approach is verified by comparison with numerical results obtained from the MEDICI device simulator.

주제어

참고문헌 (20)

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Udrea F. Japan Patent 98P01676, 1998
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10.1109/ISPSD.1998.702736 Fujihira T, Miyasaka Y. Simulated superior performances of semiconductor superjunction devices. ISPSD 1998:423-6
Microelectron J Chen 29 1005 1998 10.1016/S0026-2692(98)00065-2 Theory of a novel voltage-sustaining layer for power devices

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Baliga 1985 Modern power devices
IEEE Trans Electron Dev Parpia 37 3 789 1990 10.1109/16.47787 Optimization of RESURF LDMOS transistors: an analytical approach

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Phillips J Res Appels 35 1 1980 Thin layer high-voltage devices (RESURF)
Buchholz 1957 Elecktrische und magnetische potential felder
Morse PM, Feshbach H. Methods of theorectical physics, vols. 1 and 2. New York: McGraw-Hill; 1953
Solid-State Electron Fulop 35 39 1967 10.1016/0038-1101(67)90111-6 Calculation of avalanche breakdown of silicon p-n junction

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10.1109/ISPSD.1999.764066 Kawaguchi Y, Nakamura K, Nakagawa A. Predicted electrical characteristics of 4500 V super multi-resurf MOSFETS. ISPSD 1999:100-5

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