$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

[해외논문] Defect structure of erbium-doped 〈111〉 silicon layers formed by solid phase epitaxy

Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, v.173 no.3, 2001년, pp.319 - 325  

Kyutt, R.N (Ioffe Physicotechnical Institute, Polytechnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Sobolev, Nikolai A (Ioffe Physicotechnical Institute, Polytechnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Nikolaev, Yu.A (Ioffe Physicotechnical Institute, Polytechnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Vdovin, V.I (Institute for Chemical Problems of Microelectronics, Moscow 109017, Russia)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

AbstractErbium-doped layers have been produced on 〈111〉-oriented silicon wafers using high-energy amorphizing Er implants and solid phase epitaxy (SPE). Transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffraction (XRD) techniques, used to study the microstructure of these layers, reve...

주제어

참고문헌 (15)

  1. 10.1557/PROC-486-3 S. Coffa, A. Polman, R.A. Soref (Eds.), Materials and devices for silicon-based optoelectronics, MRS Symp. Proc., Vol. 486, 1997 

  2. Appl. Phys. Lett. Coffa 69 2077 1996 10.1063/1.116885 

  3. Appl. Phys. Lett. Sobolev 71 1930 1997 10.1063/1.119984 

  4. Appl. Phys. Lett. Csepregi 29 92 1976 10.1063/1.88980 

  5. J. Appl. Phys. Drosd 53 397 1982 10.1063/1.329901 

  6. Matare 1971 Defect Electronics in Semiconductors 

  7. Appl. Phys. Lett. Emel'anov 72 1223 1998 10.1063/1.121020 

  8. 10.1557/PROC-486-139 N.A. Sobolev, A.M. Emel'anov, S.V. Gastev, P.E. Khakuashev, Yu.A. Nikolaev, M.A. Trishenkov, in: MRS Symp. Proc., vol. 486, 1998, p. 215 

  9. Phys. Solid State Kyutt 39 759 1997 10.1134/1.1129963 

  10. Hirsh 1965 Electron Microscopy of Thin Crystals 

  11. Solid State Phenomena Claverie 47-48 195 1996 10.4028/www.scientific.net/SSP.47-48.195 

  12. Philos. Mag. A Rechtin 37 605 1978 10.1080/01418617808239194 

  13. Appl. Phys. Lett. Carter 44 460 1984 10.1063/1.94766 

  14. Semiconductor Sobolev 33 613 1999 10.1134/1.1187739 

  15. J. Cryst. Growth Ayers 135 71 1994 10.1016/0022-0248(94)90727-7 

관련 콘텐츠

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로