[논문]Defect structure of erbium-doped 〈111〉 silicon layers formed by solid phase epitaxy

doi:10.1016/S0168-583X(00)00403-1

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[해외논문] Defect structure of erbium-doped 〈111〉 silicon layers formed by solid phase epitaxy

Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, v.173 no.3, 2001년, pp.319 - 325

Kyutt, R.N (Ioffe Physicotechnical Institute, Polytechnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, Russia) , Sobolev, Nikolai A (Ioffe Physicotechnical Institute, Polytechnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, Russia) , Nikolaev, Yu.A (Ioffe Physicotechnical Institute, Polytechnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, Russia) , Vdovin, V.I (Institute for Chemical Problems of Microelectronics, Moscow 109017, Russia)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractErbium-doped layers have been produced on 〈111〉-oriented silicon wafers using high-energy amorphizing Er implants and solid phase epitaxy (SPE). Transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffraction (XRD) techniques, used to study the microstructure of these layers, revealed the presence of microtwins and dislocations. The twins were found to be platelets with lateral dimensions of 15–30 nm and a thickness of about 2–9 nm, and their density throughout the regrown layer was nonuniform. The dislocation densities observed in the regrown layers were very high with densities exceeding 1010 cm−2. Within the implant fluence range studied, between 1×1014 and 9×1014 Er cm−2, the twin and dislocation densities were observed to increase with fluence, while the twin dimensions were found to decrease.

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참고문헌 (15)

10.1557/PROC-486-3 S. Coffa, A. Polman, R.A. Soref (Eds.), Materials and devices for silicon-based optoelectronics, MRS Symp. Proc., Vol. 486, 1997

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Appl. Phys. Lett. Coffa 69 2077 1996 10.1063/1.116885

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Appl. Phys. Lett. Sobolev 71 1930 1997 10.1063/1.119984

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Appl. Phys. Lett. Csepregi 29 92 1976 10.1063/1.88980

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J. Appl. Phys. Drosd 53 397 1982 10.1063/1.329901

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Matare 1971 Defect Electronics in Semiconductors
Appl. Phys. Lett. Emel'anov 72 1223 1998 10.1063/1.121020

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10.1557/PROC-486-139 N.A. Sobolev, A.M. Emel'anov, S.V. Gastev, P.E. Khakuashev, Yu.A. Nikolaev, M.A. Trishenkov, in: MRS Symp. Proc., vol. 486, 1998, p. 215

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Phys. Solid State Kyutt 39 759 1997 10.1134/1.1129963

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Hirsh 1965 Electron Microscopy of Thin Crystals
Solid State Phenomena Claverie 47-48 195 1996 10.4028/www.scientific.net/SSP.47-48.195

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Philos. Mag. A Rechtin 37 605 1978 10.1080/01418617808239194

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Appl. Phys. Lett. Carter 44 460 1984 10.1063/1.94766

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Semiconductor Sobolev 33 613 1999 10.1134/1.1187739

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J. Cryst. Growth Ayers 135 71 1994 10.1016/0022-0248(94)90727-7

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