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[해외논문] Defect structure of erbium-doped 〈111〉 silicon layers formed by solid phase epitaxy

Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, v.173 no.3, 2001년, pp.319 - 325  

Kyutt, R.N (Ioffe Physicotechnical Institute, Polytechnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Sobolev, Nikolai A (Ioffe Physicotechnical Institute, Polytechnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Nikolaev, Yu.A (Ioffe Physicotechnical Institute, Polytechnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Vdovin, V.I (Institute for Chemical Problems of Microelectronics, Moscow 109017, Russia)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

AbstractErbium-doped layers have been produced on 〈111〉-oriented silicon wafers using high-energy amorphizing Er implants and solid phase epitaxy (SPE). Transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffraction (XRD) techniques, used to study the microstructure of these layers, reve...

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참고문헌 (15)

  1. 10.1557/PROC-486-3 S. Coffa, A. Polman, R.A. Soref (Eds.), Materials and devices for silicon-based optoelectronics, MRS Symp. Proc., Vol. 486, 1997 

  2. Appl. Phys. Lett. Coffa 69 2077 1996 10.1063/1.116885 

  3. Appl. Phys. Lett. Sobolev 71 1930 1997 10.1063/1.119984 

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  9. Phys. Solid State Kyutt 39 759 1997 10.1134/1.1129963 

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  12. Philos. Mag. A Rechtin 37 605 1978 10.1080/01418617808239194 

  13. Appl. Phys. Lett. Carter 44 460 1984 10.1063/1.94766 

  14. Semiconductor Sobolev 33 613 1999 10.1134/1.1187739 

  15. J. Cryst. Growth Ayers 135 71 1994 10.1016/0022-0248(94)90727-7 

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