[논문]TEM investigations on the growth of the icosahedric phase in AlMn films produced by simultaneous deposition of the components

Kreutzer, P; Anton, R

doi:10.1016/S0921-5093(00)01301-0

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[해외논문] TEM investigations on the growth of the icosahedric phase in AlMn films produced by simultaneous deposition of the components

Materials science & engineering. properties, microstructure and processing. A, Structural materials, v.294/296, 2000년, pp.854 - 858

Kreutzer, P (Corresponding author. Tel.: +49-40-42838-5281) , Anton, R (fax: +49-40-42838-6990)

Abstract ▼ AI-Helper

Abstract Thin AlMn films were grown by simultaneous deposition of the components on carbon substrates (a-C, HOPG). The films were characterized by transmission electron microscopy, electron diffraction and EDX. Depending on composition, deposition rate, and substrate temperature, different phases were found, which partly coexist. At substrate temperatures between 300 and 500°C, and at a total deposition rate of as low as 0.01nm/s, the pure icosahedric phase developed for Mn concentrations near 14at.%, while higher rates caused segregation of Al6Mn crystallites at 400°C. At lower Mn contents, Al was segregated, at higher deposition rates even for Mn contents up to 19at.%. At Mn contents between 19 and 54at.%, precipitates of Al8Mn5 were found.

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참고문헌 (13)

J. Mater. Res. Barna 7 1115 1992 10.1557/JMR.1992.1115

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F. Raschewski, Ph.D. Thesis, Berichte des Forschungszentrums Julich, Nr. 3019, RWTH Aachen, 1995.
Phil. Mag. Lett. Verma 55 201 1987 10.1080/09500838708203750

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Jpn. J. Appl. Phys. Yoshioka 34 1606 1995 10.1143/JJAP.34.1606

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Jpn. J. Appl. Phys. Ichikawa 33 L736 1994 10.1143/JJAP.33.L736

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Thin Solid Films Mihama 163 61 1988 10.1016/0040-6090(88)90411-7

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Phys. Stat. Sol. (b) Meddour 208 517 1998 10.1002/(SICI)1521-3951(199808)208:2<517::AID-PSSB517>3.0.CO;2-H

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Phys. Rev. Lett. Bancel 54 22 2422 1985 10.1103/PhysRevLett.54.2422

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Thin Solid Films Reyes-Gasga 227 24 1993 10.1016/0040-6090(93)90182-O

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