[논문]Formation of silicon dioxide layers during UV annealing of tantalum pentoxide film

doi:10.1016/S0169-4332(00)00770-4

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[해외논문] Formation of silicon dioxide layers during UV annealing of tantalum pentoxide film

Applied surface science, v.168 no.1/4, 2000년, pp.312 - 315

Zhang, Jun-Ying (Corresponding author. Tel.: +44-207-419-3196) , Boyd, Ian W. (fax: +44-207-388-9325)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractIn this paper, the effects of ultraviolet (UV) annealing on films deposited by photo-induced chemical vapour deposition (photo-CVD) have been investigated using ellipsometry and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) measurements. It was found that SiO2 could be formed at UV annealing temperatures above 350°C and its thickness (several nm) depends on annealing time, temperature and annealing gas such as N2 and O2 as well as the Ta2O5 thickness. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and HF etching confirmed that the SiO2 formed on the surface of the Ta2O5 after the UV annealing step. Results show that the active oxygen species play an important role in the improvement of layer properties during UV annealing.

주제어

참고문헌 (17)

Appl. Phys. Lett. Laviale 65 2021 1994 10.1063/1.112781

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J. Mater. Sci. Lett. Zhang 17 1507 1998 10.1023/A:1026459309199

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Appl. Phys. Lett. Isobe 56 907 1990 10.1063/1.103323

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J. Electron. Mater. Park 21 635 1992 10.1007/BF02655432

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J. Phys. D: Appl. Phys. Zhang 32 L91 1999 10.1088/0022-3727/32/19/101

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Appl. Surf. Sci. Zhang 154/155 17 2000 10.1016/S0169-4332(99)00406-7

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Appl. Surf. Sci. Zhang 154/155 382 2000 10.1016/S0169-4332(99)00387-6

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Nucl. Instr. Methods Phys. Res. Boyd B121 349 1997 10.1016/S0168-583X(96)00538-1

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Thin Solid Films Zhang 336 340 1998 10.1016/S0040-6090(98)01303-0

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Appl. Phys. Lett. Zhang 71 2964 1997 10.1063/1.120230

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