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NTIS 바로가기Journal of crystal growth, v.220 no.4, 2000년, pp.510 - 514
Tomm, Y. (Department of Solar Energy, Hahn-Meitner-Institute Berlin, Glienickerstrasse 100, D-14109 Berlin, Germany) , Reiche, P. (Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany) , Klimm, D. (Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany) , Fukuda, T. (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, Japan)
AbstractWe report on the successful growth of β-Ga2O3 single crystals using the Czochralski method. Model calculations show that the gas phase consists of Ga2O, GaO or Ga independent of the ratio of oxygen and Ar or N2. We find that for growing single crystals the evaporation has to be suppre...
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