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[해외논문] Zn-doped AlInAs grown at high temperature by metalorganic chemical vapor deposition

Journal of crystal growth, v.220 no.4, 2000년, pp.393 - 400  

Tateno, K. (Corresponding author. Tel.: +81-462-40-3107) ,  Amano, C. (fax: +81-462-40-3259)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

AbstractZn-doped AlInAs growth at high temperature, mainly at 750°C, by metalorganic chemical vapor deposition is investigated. When introducing DEZn during AlInAs growth, it is necessary to increase the TMAl flow rate in order to make the layer lattice-matched to InP. This is due to the enha...

주제어

참고문헌 (19)

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