[논문]Zn-doped AlInAs grown at high temperature by metalorganic chemical vapor deposition

doi:10.1016/S0022-0248(00)00844-7

[해외논문] Zn-doped AlInAs grown at high temperature by metalorganic chemical vapor deposition

Journal of crystal growth, v.220 no.4, 2000년, pp.393 - 400

Tateno, K. (Corresponding author. Tel.: +81-462-40-3107) , Amano, C. (fax: +81-462-40-3259)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractZn-doped AlInAs growth at high temperature, mainly at 750°C, by metalorganic chemical vapor deposition is investigated. When introducing DEZn during AlInAs growth, it is necessary to increase the TMAl flow rate in order to make the layer lattice-matched to InP. This is due to the enhanced In incorporation rather than the large covalent radius of Zn. To clarify the electrical characteristics, the dependence of the DEZn flow rate, the V/III ratio, and the growth temperature are investigated using the van der Pauw Hall method. In our growth system, a GaInAs intermediate layer is effective in preventing n-type inversion in Zn-doped AlInAs, which occurs when it is grown directly on an InP buffer layer. In addition, a large DEZn flow rate is effective for reducing carrier compensation in Zn-doped AlInAs layers grown at 750°C. Si impurities are apparently the cause of the type-inversion and compensation in Zn-doped AlInAs.

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표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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