최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Journal of crystal growth, v.220 no.4, 2000년, pp.393 - 400
Tateno, K. (Corresponding author. Tel.: +81-462-40-3107) , Amano, C. (fax: +81-462-40-3259)
AbstractZn-doped AlInAs growth at high temperature, mainly at 750°C, by metalorganic chemical vapor deposition is investigated. When introducing DEZn during AlInAs growth, it is necessary to increase the TMAl flow rate in order to make the layer lattice-matched to InP. This is due to the enha...
Jpn. J. Appl. Phys. Takeamsa 38 1230 1999 10.1143/JJAP.38.1230
IEEE Photonic. Lett. Debray 11 770 1999 10.1109/68.769702
Electron. Lett. Ohnoki 35 51 1999 10.1049/el:19990031
J. Crystal Growth Bhat 108 441 1991 10.1016/0022-0248(91)90220-Y
Jpn. J. Appl. Phys. Tsuji 33 3359 1994 10.1143/JJAP.33.3359
J. Crystal Growth Naritsuka 131 186 1993 10.1016/0022-0248(93)90413-Q
Jpn. J. Appl. Phys. Goto 38 1048 1999 10.1143/JJAP.38.1048
Appl. Phys. Lett. Han 72 1905 1998 10.1063/1.121222 Byungsung O
J. Crystal Growth Mori 93 892 1988 10.1016/0022-0248(88)90636-7
J. Crystal Growth Carey 77 558 1986 10.1016/0022-0248(86)90352-0
Hultgren 1973 Selected Values of the Thermodynamic Properties of the Elements
Stringfellow 1989 Organometallic Vapor-Phase Epitaxy, Academic Press
J. Crystal Growth Tateno 172 5 1997 10.1016/S0022-0248(96)00737-3
J. Crystal Growth Tateno 181 33 1997 10.1016/S0022-0248(97)00218-2
J. Electron. Matter. Tateno 28 62 1999 10.1007/s11664-999-0196-6
Pauling 1960 The Nature of the Chemical Bond
J. Crystal Growth Nishikawa 112 628 1991 10.1016/0022-0248(91)90118-O
J. Crystal Growth Watanabe 195 48 1998 10.1016/S0022-0248(98)00559-4
J. Crystal Growth Ito 173 315 1997 10.1016/S0022-0248(96)00899-8
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.