[논문]Plasma effects of fluorine implantation on As+-doped polycrystalline silicon thin films of various thicknesses

doi:10.1016/S0040-6090(00)01188-3

[해외논문] Plasma effects of fluorine implantation on As+-doped polycrystalline silicon thin films of various thicknesses

Thin solid films, v.379 no.1/2, 2000년, pp.213 - 217

Liou, Bor Wen (Department of Electrical Engineering, Wu-Feng Institute of Technology, Chiayi, Taiwan, PR China) , Lee, Chung Len (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, PR China)

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AbstractThis work studied plasma effects on the resistivity, effective free carrier concentration, and mobility of As+-doped, F-implanted polycrystalline silicon (polysilicon) thin films of various thicknesses. It was found that the resistivity of the polysilicon thin film increases with the decrease of the thickness of the film. This is mainly due to the decrease of the effective carrier concentration and mobility through the decrease of the grain size which is limited by the thickness of the film. Hydrogen and NH3 plasma treatments decrease the effective carrier concentration of the film through neutralization of As ions. This effect is more evident for the thinner films (<60 nm). The mobility of the high F-dose sample (3×1015 cm−2) is larger than that of the low F-dose samples (1×1015 cm−2), because the implanted F atoms passivate trapping states of the polysilicon thin film. Through the use of the F implantation passivation and the NH3-plasma treatment, a polysilicon film of a high mobility can be obtained.

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표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

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용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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