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[해외논문] Electron transport across bulk (AlxGa1-x)0.5In0.5P barriers determined from the I-V characteristics of n-i-n diodes measured between 60 and 310 K

IEEE journal of quantum electronics, v.36 no.11, 2000년, pp.1293 - 1298  

Morrison, A.P. (Dept. of Electr.&Electron. Eng., Univ. Coll. Cork, Ireland) ,  Lambkin, J.D. ,  van der Poel, C.J. ,  Valster, A.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The electron transport characteristics of five n-i-n diodes with (AlxGa1-x)0.5In0.5P intrinsic barrier regions of various aluminum composition x were determined from the measured I-V characteristics between 60 and 310 K. From these measurements, three different transport regimes were identified. Fow...

참고문헌 (13)

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  3. Int Electron Devices Meeting (IEDM) 1994 estimation of the $\gamma$ –x crossover composition in disordered (al $_{x}$ ga $_{1-x}$ ) $_{0.5}$ in $_{0.5}$ p using n-i-n diodes morrison 1997 

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