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Perturbation analysis of sheath evolution, with application to plasma source ion implantation

Journal of physics. D, applied physics, v.34 no.3, 2001년, pp.326 - 329  

Bektursunova, Rimma M (Department of Physics, The Middle East Technical University, Ankara 06531, Turkey) ,  Demokan, Ordal (Department of Physics, The Middle East Technical University, Ankara 06531, Turkey)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

A perturbation model has been developed to describe the evolution of an expanding plasma sheath around a cathode after a high-voltage negative pulse is applied to the cathode, simulating the conditions in devices such as those used for plasma source ion implantation. The set of governing equations c...

참고문헌 (16)

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