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NTIS 바로가기Technical physics letters, v.27 no.1, 2001년, pp.17 - 19
Veselovskii, I. A. , Grekhov, I. V. , Delimova, L. A. , Liniichuk, I. A.
초록이 없습니다.
Appl. Phys. Lett. Y. Watanabe 66 14 1770 1995 10.1063/1.113362 Y. Watanabe, Appl. Phys. Lett. 66(14), 1770 (1995).
Appl. Phys. Lett. C. H. Ahn 70 2 206 1997 10.1063/1.118203 C. H. Ahn, R. H. Hammond, T. H. Geballe, et al., Appl. Phys. Lett. 70(2), 206 (1997).
Sverkhprovodimost’: Fiz., Khim., Tekh. I. V. Grekhov 3 1 1708 1990 I. V. Grekhov, L. A. Delimova, I. A. Liniichuk, et al., Sverkhprovodimost’: Fiz., Khim., Tekh. 3(1), 1708 (1990).
J. Appl. Phys. I. Stolichnov 84 3216 1998 10.1063/1.368888 I. Stolichnov and A. Tagantsev, J. Appl. Phys. 84, 3216 (1998).
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Integr. Ferroelectr. A. Taganstsev 10 189 1995 10.1080/10584589508012276 A. Taganstsev, A. Kholkin, E. Colla, et al., Integr. Ferroelectr. 10, 189 (1995).
Physica C (Amsterdam) F. Chou 197 303 1992 10.1016/0921-4534(92)90013-3 F. Chou, J. Cho, and D. Johnston, Physica C (Amsterdam) 197, 303 (1992).
Appl. Phys. Lett. Yu. Boikov 61 5 528 1992 10.1063/1.107877 Yu. Boikov, S. Esayan, Z. Ivanov, et al., Appl. Phys. Lett. 61(5), 528 (1992).
B. I. Shklovskii 1979 Electronic Properties of Doped Semiconductors B. I. Shklovskii and A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Nauka, Moscow, 1979; Springer-Verlag, New York, 1984).
Phys. Rev. B S.-W. Cheong 37 5916 1988 10.1103/PhysRevB.37.5916 S.-W. Cheong, Z. Fisk, R. Kwok, et al., Phys. Rev. B 37, 5916 (1988).
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