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[해외논문] Investigations of impact ionization phenomena in advanced transistors and speed-power improvement of BiMOS SRAM cells based on reverse base current effect

Microelectronics reliability, v.41 no.2, 2001년, pp.219 - 228  

Bubennikov, Alexander N (Department of Physical and Quantum Electronics, Hi-Tech Centre, Moscow Institute of Physics and Technology (State University), 9, Institutsky, MIPT, Dolgoprudny 141700, Russian Federation) ,  Zykov, Andrey V (Corresponding author)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

AbstractThe experimental investigations of base reverse current of integrated Si polysilicon emitter bipolar transistor and its multiplication coefficients (M−1) vs. Ucb at different IE when the device is driven at constant emitter currents are represented. Current crowding effect induced by ...

참고문헌 (12)

  1. 10.1109/IEDM.1988.32746 Sakui K, Hasegawa T, Fue T, Watanabe S, Ohuchi K, Masuoka F. A new static memory cell based on reverse base current (RBC) effect of bipolar transistor. Proc IEDM, 1988. p. 44-8 

  2. IEEE Trans Electron Dev Sakui ED-36 1215 1989 10.1109/16.24372 A new static memory cell based on the reverse base current effect of bipolar transistors 

  3. Solid State Electron Datta 39 1819 1996 10.1016/S0038-1101(96)00117-7 Cjc and the output conductance of advanced bipolar junction transistors under nonlocal impact ionization conditions 

  4. IEEE Trans Electron Dev Lu 36 6 1182 1989 10.1109/16.24366 Collector-base junction avalanche effects in advanced double-poly self-aligned bipolar transistor 

  5. IEEE Trans Electron Dev Dutton ED-22 334 1975 10.1109/T-ED.1975.18132 Bipolar transistor modeling of avalanche generation for computer circuit simulation 

  6. Solid State Electron Reisch 33 189 1990 10.1016/0038-1101(90)90156-9 Carrier multiplication and avalanche breakdown in self-aligned bipolar transistors-DC measurements 

  7. IEEE Trans Electron Dev Reisch ED-39 1398 1992 10.1109/16.137320 On bistable behavior and open-base breakdown of bipolar transistors in the avalanche regime - modeling and applications 

  8. Bubennikov A, Kobosev G. Quasistatic methods for measuring the emitter, collector and base resistances in advanced bipolar transistors. Proc Baltic Electronics Conf, 1996. p. 117-20 

  9. Grove 1967 Physics and technology of semiconductor devices 

  10. Electron design Herbert 6 117 1991 SPICE2 models BJT breakdown 

  11. Bubennikov A, Zykov A. Simulation of Advanced Super-Speed BiCMOS Static Memory Cells Based on the Reverse Base Current Effect of Avalanche Transistor. Proc Baltic Electronics Conf, 1998. p. 63-7 

  12. 10.1049/ip-cds:19960144 Verzellesi C, et al. Spice modelling of impact ionization. IEEE Proc Circ Dev Sys 1996;143:33-40 

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