[논문]Hot-wire amorphous silicon thin-film transistors on glass

doi:10.1016/S0040-6090(00)01583-2

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[해외논문] Hot-wire amorphous silicon thin-film transistors on glass

Thin solid films, v.383 no.1/2, 2001년, pp.125 - 128

Stannowski, B. (Corresponding author) , Schropp, R.E.I. (Utrecht University, Debye Institute, Physics of Devices, P.O. Box 80000, 3508 TA Utrecht, The Netherlands)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractWe present amorphous silicon thin-film transistors on glass substrates deposited by hot-wire chemical vapor deposition with a high deposition rate of 17 Å/s. The TFTs have a field-effect mobility of 0.4 cm2/Vs, and a high stability upon gate–voltage stress. Hot-wire silicon nitrides were developed. First TFTs incorporating this material as gate dielectric have a mobility of 0.6 cm2/Vs and a threshold voltage of 2.9 V.

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참고문헌 (9)

Appl. Phys. Lett. Chu 70 2714 1997 10.1063/1.119001

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Matsumura 280 1998 Symp. Proc. Thin Film Transistor Technologies IV
Appl. Phys. Lett. Meiling 70 2681 1997 10.1063/1.118992

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Appl. Phys. Lett. Stannowski 75 3674 1999 10.1063/1.125425

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J. Appl. Phys. Feenstra 85 6843 1999 10.1063/1.370202

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Phys. Rev. B Deane 58 12625 1998 10.1103/PhysRevB.58.12625

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J. Appl. Phys. Wehrspohn 87 144 2000 10.1063/1.371836

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J. Non-Cryst. Solids Stannowski 266-269 464 2000 10.1016/S0022-3093(00)00026-0

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Phys. Rev. B Powell 45 4160 1992 10.1103/PhysRevB.45.4160

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