[논문]High-power high-voltage bipolar transistors based on complex semiconductor structures

Volokobinskii, M. Yu.; Komarov, I. N.; Matyukhina, T. V.; Reshetnikov, V. I.; Rush, A. A.; Falina, I. V.; Yastrebov, A. S.

doi:10.1134/1.1349940

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[해외논문] High-power high-voltage bipolar transistors based on complex semiconductor structures

Semiconductors, v.35 no.2, 2001년, pp.238 - 241

Volokobinskii, M. Yu. , Komarov, I. N. , Matyukhina, T. V. , Reshetnikov, V. I. , Rush, A. A. , Falina, I. V. , Yastrebov, A. S.

초록이 없습니다.

참고문헌 (5)

A. Blicher 1981 Field-Effect and Bipolar Power Transistor Physics A. Blicher, Field-Effect and Bipolar Power Transistor Physics (Academic, New York, 1981; Energoatomizdat, Leningad, 1986).
Solid-State Electron. T. P. Lee 10 1105 1967 10.1016/0038-1101(67)90130-X T. P. Lee and S. M. Sze, Solid-State Electron. 10, 1105 (1967).

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S. Sze 1981 Physics of Semiconductor Devices S. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981; Mir, Moscow, 1984).
Dokl. Akad. Nauk M. Yu. Volokobinskii 362 323 1998 M. Yu. Volokobinskii and A. S. Yastrebov, Dokl. Akad. Nauk 362, 323 (1998) [Dokl. Phys. 43, 552 (1998)].
Phys. Rev. S. L. Miller 99 1234 1955 10.1103/PhysRev.99.1234 S. L. Miller, Phys. Rev. 99, 1234 (1955).

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