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[해외논문] Electrical properties of O2/NO-plasma grown oxynitride films on partially strain compensated Si/Si1-x-yGexCy/Si heterolayers

Semiconductor science and technology, v.16 no.3, 2001년, pp.160 - 163  

Maikap, S ,  Ray, S K ,  Banerjee, S K ,  Maiti, C K

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Ultra-thin (<100??) gate quality oxynitride films have been grown on partially strain compensated Si/Si1-x-yGexCy/Si heterolayers at low temperature using microwave NO/O2-, O2/NO- and O2/NO/O2-plasma. The change in gate voltage (ΔVG), flatband voltage (ΔVFB) and normalized current (&Del...

참고문헌 (23)

  1. 1995 10.1088/0268-1242/10/10/001 10 1289 0268-1242 Semicond. Sci. Technol. Jain S C 

  2. 1995 10.1557/PROC-379-327 379 327 0272-9172 Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Rim K 

  3. 2000 10.1088/0268-1242/15/7/317 15 761 0268-1242 Semicond. Sci. Technol. Maikap S 

  4. 1996 261 IEEE IEDM Tech. Dig. Ray S K 

  5. Glück, M, König, U, Winter, W, Brunner, K, Eberl, K. Modulation-doped Si1−xyGexCy p-type Hetero-FETs. Physica E, Low-dimensional systems & nanostructures, vol.2, no.1, 768-771.

  6. Lanzerotti, L.D., St. Amour, A., Liu, C.W., Sturm, J.C., Watanabe, J.K., Theodore, D.. Si/Si1-x-yGexCy/Si heterojunction bipolar transistors. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.17, no.7, 334-337.

  7. Huang, F. Y., Wang, Kang L.. Normal-incidence epitaxial SiGeC photodetector near 1.3 μm wavelength grown on Si substrate. Applied physics letters, vol.69, no.16, 2330-2332.

  8. Xiang, J., Herbots, N., Jacobsson, H., Ye, P., Hearne, S., Whaley, S.. Comparative study on dry oxidation of heteroepitaxial Si1−xGex and Si1−xyGexCy on Si(100)+. Journal of applied physics, vol.80, no.3, 1857-1866.

  9. 1990 421 IEEE IEDM Tech. Dig. Hwang H 

  10. Lai, P.T., Xu, J.P., Cheng, Y.C.. Interface properties of NO-annealed N2O-grown oxynitride. IEEE transactions on electron devices, vol.46, no.12, 2311-2314.

  11. Ray, S. K.. Properties of silicon dioxide films deposited at low temperatures by microwave plasma enhanced decomposition of tetraethylorthosilicate. Journal of vacuum science & technology. processing, measurement, and phenomena : an official journal of the American Vacuum Society. B, Microelectronics and nanometer structures, vol.10, no.3, 1139-.

  12. Ray, S. K., Bera, L. K., Maiti, C. K., John, S., Banerjee, S. K.. Electrical characteristics of plasma oxidized Si1−x−yGexCy metal-oxide-semiconductor capacitors. Applied physics letters, vol.72, no.10, 1250-1252.

  13. Mazumder, M.K, Teramoto, A, Sekine, M, Kawazu, S, Koyama, H. Improved reliability of NO treated NH3-nitrided oxide with regard to O2 annealing. Solid-state electronics, vol.42, no.6, 921-924.

  14. Sah, C.T.. Models and experiments on degradation of oxidized silicon. Solid-state electronics, vol.33, no.2, 147-167.

  15. Hill, W.A., Coleman, C.C.. A single-frequency approximation for interface-state density determination. Solid-state electronics, vol.23, no.9, 987-993.

  16. Mukhopadhyay, M., Ray, S.K., Maiti, C.K.. Microwave plasma grown oxynitride using nitrousoxide. Electronics letters, vol.31, no.22, 1953-1954.

  17. Mazumder, M.K., Teramoto, A., Komori, J., Sekine, M., Kawazu, S., Mashiko, Y.. Effects of N distribution on charge trapping and TDDB characteristics of N2O annealed wet oxide. IEEE transactions on electron devices, vol.46, no.6, 1121-1126.

  18. Liu, Z.H., Lai, P.T., Cheng, Y.C.. Characterization of charge trapping and high-field endurance for 15-nm thermally nitrided oxides. IEEE transactions on electron devices, vol.38, no.2, 344-354.

  19. DiMaria, D. J., Cartier, E., Arnold, D.. Impact ionization, trap creation, degradation, and breakdown in silicon dioxide films on silicon. Journal of applied physics, vol.73, no.7, 3367-3384.

  20. 1994 605 IEDM Tech. Dig. Lee S H 

  21. Brière, O, Halimaoui, A, Ghibaudo, G. Breakdown characteristics of ultra thin gate oxides following field and temperature stresses. Solid-state electronics, vol.41, no.7, 981-985.

  22. Arakawa, Tomiyuki, Matsumoto, Ryoichi. Impact of nitrogen concentration profile in silicon oxynitride films on stress-induced leakage current. Applied surface science, vol.113, 605-609.

  23. Tomita, T., Utsunomiya, H., Sakura, T., Kamakura, Y., Taniguchi, K.. A new soft breakdown model for thin thermal SiO2 films under constant current stress. IEEE transactions on electron devices, vol.46, no.1, 159-164.

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