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[해외논문] Solution processed vertical p-channel thin film transistors using copper(I) thiocyanate

Journal of materials chemistry. C, Materials for optical and electronic devices, v.8 no.16, 2020년, pp.5587 - 5593  

Ji, Yena (Department of Materials Science and Engineering) ,  Lee, Seonjeong (Department of Materials Science and Engineering) ,  Lee, Han Ju (Department of Materials Science and Engineering) ,  Choi, Kyoung Soon (National Research Facilities & Equipment Center) ,  Jeon, Cheolho (Advanced Nano Surface Research Group) ,  Lee, Keun Hyung (Department of Chemistry and Chemical Engineering) ,  Hong, Kihyon (Department of Materials Science and Engineering)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Here, we present a strategy for the realization of p-channel inorganic thin film transistors (TFTs) based on vertically stacked contacts and a copper(i) thiocyanate (CuSCN) semiconductor. The CuSCN semiconductor was generated by a simple low-temperature (ca.100 °C) solution-based process. Utiliz...

참고문헌 (48)

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