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NTIS 바로가기IEEE transactions on nanotechnology, v.19, 2020년, pp.390 - 396
Chung, Sheng-Ti (Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) , Lee, Yao-Jen (Taiwan Semiconductor Research Institute, Hsinchu, Taiwan) , Chao, Tien-Sheng (Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
In this study, an effective method was proposed to enhance the current drivability of junctionless field-effect transistors (JL-FETs) by utilizing ferroelectric effects. The ferroelectric layers were deposited on JL-FinFETs. The poly-Si junctionless FinFETs (JL-FinFETs) with HfZrO were successfully ...
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