[논문]NiSiTb alloy interlayer properties at NiSi/Si junctions for improving thermal stability and contact resistance

Eadi, Sunil Babu; Song, Ki-Woo; Song, Hyeong-Sub; Kim, Sang Hyeon; Choi, Hyun-Woong; Lee, Hi-Deok

doi:10.1016/j.mee.2020.111482

[해외논문] NiSiTb alloy interlayer properties at NiSi/Si junctions for improving thermal stability and contact resistance

Microelectronic engineering, v.236, 2021년, pp.111482 -

Eadi, Sunil Babu (Corresponding author.) , Song, Ki-Woo , Song, Hyeong-Sub , Kim, Sang Hyeon , Choi, Hyun-Woong , Lee, Hi-Deok

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Abstract In this study, effect of Terbium (Tb) on electrical and thermal properties of NiSi/Si contacts are studied. A thin Tb interlayer was deposited at NiSi/Si junctions and using Rapid Thermal process (RTP), a new NiSi-Tb alloy was formed. The specific contact resistivity (ρc) was measured for NiSi-Tb alloys formed on n/p-Si substrates. The ρc of 6.61 & 3.57 × 10−5 Ω·cm2 for n-Si and 7.52 & 4.53 × 10−5 Ω·cm2 for p-Si, obtained for NiSi without and with Tb Interlayer correspondingly. The thermal stability properties show improvement beyond 500 °C by using Tb interlayer. The enhancement of interfacial properties by introduction of Tb interlayer could be responsible for the improvement of ρc and thermal stability. Highlights Controlled NiSi formation is achieved using Tb interlayer. Specific contact resistivity values reduced by using Tb Interlayer in n/p-Si. Thermal stability of the NiSi is achieved beyond 500 °C using new NiSiTb alloy material. New alloy Tb/NiSi lowers work function and enhance dopant pile-up near interface of NiSi/Si. Graphical abstract [DISPLAY OMISSION]

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표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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