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[해외논문] Stability and reliability of LTCC-based 5/12 V dual output DC-DC converter with high efficiency and small size

Microelectronics journal, v.106, 2020년, pp.104937 -   

Jung, Dong Yun (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) ,  Jang, Hyun Gyu (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) ,  Cho, Doohyung (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) ,  Park, Kun Sik (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) ,  Lim, Jong-Won (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)) ,  Lee, Yong Ha (Y.TECH) ,  Son, Seok-Ho (RN2 Technologies)

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Abstract We propose a 5/12 V dual output DC-DC converter that can achieve high efficiency and a small size form factor. Using low temperature co-fired ceramic (LTCC)-based multi-layer circuits, the converter minimizes power losses caused by power and ground metal planes and reduces the size. The la...

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참고문헌 (23)

  1. IEEE Electron. Device Lett. Ji 39 6 863 2018 10.1109/LED.2018.2828844 880 V/2.7 mΩ?cm2 MIS gate trench CAVET on bulk GaN substrates 

  2. IEEE Electron. Device Lett. Gao 39 6 859 2018 10.1109/LED.2018.2830998 Low on-resistance GaN Schottky barrier diode with high Von uniformity using LPCVD Si3N4 compatible self-terminated, low damage anode recess technology 

  3. IEEE Electron. Device Lett. Arith 39 4 564 2018 10.1109/LED.2018.2807620 Increased mobility in enhancement mode 4H-SiC MOSFET using a thin SiO2/Al2O3 gate stack 

  4. Chen 791 2018 2018 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition A high-efficiency high-power-density 1 MHz LLC converter with GaN devices and integrated transformer 

  5. Li 1171 2018 2018 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition A 6.6kW SiC bidirectional on-board charger 

  6. IET Power Electron. Dung 11 8 1 2018 10.1049/iet-pel.2017.0723 Efficiency optimisation of ZVS isolated bidirectional DAB converters 

  7. IEEE Trans. Power Electron. Lee 33 3 2026 2018 10.1109/TPEL.2017.2698211 Quasi-resonant passive snubber for improving power conversion efficiency of a DC-DC step-down converter 

  8. IET Power Electron. Zhang 10 10 1138 2017 10.1049/iet-pel.2016.0782 Multi-megahertz quasi-square-wave flyback converter using eGaN FETs 

  9. IEEE Trans. Ind. Electron. Xie 65 2 1235 2018 10.1109/TIE.2017.2733451 Highly efficient secondary-resonant active clamp flyback converter 

  10. IEEE Trans. Appl. Supercond. Lim 28 3 1100105 2018 10.1109/TASC.2018.2793918 Embedded flexible Fe-Si-Al powder composite film inductor for low power DC-DC converters 

  11. IEEE Trans. Power Electron. Li 32 5 3858 2017 10.1109/TPEL.2016.2588501 A high-Q in-silicon power inductor designed for wafer-level integration of compact DC-DC converters 

  12. IET Power Electron. Pajnic 11 6 961 2018 10.1049/iet-pel.2017.0566 Design and analysis of a novel coupled inductor structure with variable coupling coefficient 

  13. IEEE Trans. Power Electron. Zhang 30 3 1421 2015 10.1109/TPEL.2014.2320857 High-density integration of high-frequency high-current point-of-load (POL) modules with planar inductors 

  14. IEEE Trans. Power Electron. Laloya 31 11 7896 2016 10.1109/TPEL.2015.2513433 Heat management in power converters: from state of the art to future ultrahigh efficiency systems 

  15. IEEE Trans. Power Electron. Puigdellivol 32 6 4691 2017 10.1109/TPEL.2016.2601010 Thermal topology optimization of a three-layer laminated busbar for power converters 

  16. ETRI J. Jung 39 6 866 2017 10.4218/etrij.17.0117.0113 Power semiconductor SMD package embedded in multi-layered ceramic for low switching loss 

  17. ETRI J. Jung 41 6 811 2019 10.4218/etrij.2018-0551 Efficiency improvement of a DC/DC converter using LTCC substrate 

  18. Ball 181 2008 2008 Twenty-Third Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition System design 3D integrated non-isolated point of load converter 

  19. Li 1011 2009 2009 Twenty-Fourth Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition High inductance density low-profile inductor structure for integrated point-of-load converter 

  20. IEEE Trans. Power Electron. Li 28 1 547 2013 10.1109/TPEL.2012.2196525 High-density low-profile coupled inductor design for integrated point-of-load converter 

  21. Su 1331 2012 2012 Twenty-Seventh Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition Low profile LTCC inductor substrate for multi-MHz integrated POL converter 

  22. Jung 1 2017 2017 IEEE Electrical Design of Advanced Packaging and Systems Symposium 48-to-5/12 V dual output DC/DC converter for high efficiency and small form factor in electric bike applications 

  23. Lee 2014 2014 16th International Power Electronics and Motion Control Conference and Exposition, Keynote speech Is GaN a game changing device? 

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