[논문]Highly reliable THz hermetic detector based on InGaAs/InP Schottky barrier diode

Shin, Jun-Hwan; Park, Dong Woo; Lee, Eui Su; Kim, Mugeon; Lee, Dong Hun; Lee, Il-Min; Park, Kyung Hyun

doi:10.1016/j.infrared.2021.103736

[해외논문] Highly reliable THz hermetic detector based on InGaAs/InP Schottky barrier diode

Infrared physics & technology, v.115, 2021년, pp.103736 -

Shin, Jun-Hwan (Terahertz Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute) , Park, Dong Woo (Terahertz Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute) , Lee, Eui Su (Terahertz Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute) , Kim, Mugeon (Terahertz Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute) , Lee, Dong Hun (Photonic) , Lee, Il-Min (Terahertz Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute) , Park, Kyung Hyun (Terahertz Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute)

Abstract ▼ AI-Helper

Abstract We demonstrate on n-InGaAs/n+-InP hetero-epitaxial structure based low-barrier Schottky barrier diode with integrated antenna for broadband THz detection. These devices showed refined and uniform nonlinear rectifying characteristics. Based on this device, a compact and robust hermetic packaged module was fabricated. The developed module showed stable and consistent electrical characteristics even in mechanical/vibration shock and abrupt change of temperature. The detection performance of module was characterized by frequency domain spectroscopy system, and as a result, it had a detectable bandwidth of 0.1–0.8 THz, a voltage responsivity of 320 V/W, and noise equivalent power of 3.1∙10−9 W/Hz0.5 at 300 GHz. Highlights InGaAs/InP low-barrier Schottky diodes were designed, fabricated, and modularized. The module is compact and robust to changes of the external environment. The detector has a voltage responsivity of 320 V/W and NEP of 3.1 nW/Hz0.5 at 0.3 THz.

Keyword

참고문헌 (18)

Appl. Phys. Rev. Zhang 4 2017 10.1063/1.4978231 100 years of the physics of diodes

상세보기
Proc. IEEE Mehdi 105 990 2017 10.1109/JPROC.2017.2650235 THz diode technology: status, prospects, and applications

상세보기
IEEE J. Solid-State circuits Crowe 40 2104 2005 10.1109/JSSC.2005.854599 Opening the terahertz window with integrated diode circuits

상세보기
IEEE Trans. Microw. Theory Tech. Jelenski 41 549 1993 10.1109/22.231645 New approach to the design and the fabrication of THz Schottky barrier diodes

상세보기
Frequenz Cojocari 61 172 2007 10.1515/FREQ.2007.61.7-8.172 Design and characterization of Schottky-structures for THz-applications

상세보기
Infrared Phys. Technol. Daghestani 99 240 2019 10.1016/j.infrared.2019.01.014 Room temperature ultrafast InGaAs Schottky diode based detectors for terahertz spectroscopy

상세보기
Frequenz Sydlo 62 107 2008 10.1515/FREQ.2008.62.5-6.107 Fast THz detectors based on InGaAs Schottky Diodes

상세보기
Jpn. J. Appl. Phys. Ito 56 2017 10.7567/JJAP.56.014101 InP/InGaAs Fermi-level managed barrier diode for broadband and low-noise terahertz-wave detection

상세보기
Hoefle 89 2011 Proc. 6th European Microwave Integrated Circuits Conference Advanced RF characterization of new planar high sensitive zero-bias Schottky diodes
J. Vac. Sci. Technol. B Dormaier 21 2012 Factors controlling the resistance of Ohmic contacts to n-InGaAs
Appl. Phys. Lett. Crook 91 2007 10.1063/1.2806235 Low resistance, nonalloyed Ohmic contacts to InGaAs

상세보기
IEEE Electron Device Lett. Semenov 31 674 2010 10.1109/LED.2010.2048192 Application of zero-bias quasi-optical Schottky-diode detectors for monitoring short-pulse and weak terahertz radiation

상세보기
Torry 1950 Crystal Rectifiers
Department of Defense, MIL-STD-883E, Test Method Standard, Micro-circuits, Method 2002.3, 15 January 1982.
Department of Defense, MIL-STD-883E, Test Method Standard, Micro-circuits, Method 2007.2, 27 July 1990.
Department of Defense, MIL-STD-883E, Test Method Standard, Micro-circuits, Method 1011.9, 27 July 1990.
Department of Defense, MIL-STD-883E, Test Method Standard, Micro-circuits, Method 1014.9, 14 March 1995.
ETRI J. Lee 38 665 2016 SOA-integrated dual-mode laser and PIN-photodiode for compact CW terahertz system

LOADING...

활용도 분석정보

상세보기

다운로드

내보내기

활용도 Top5 논문

해당 논문의 주제분야에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.

원문 URL 링크

DOI : 10.1016/j.infrared.2021.103736
Elsevier : 저널 > 논문

*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.

저작권 관리 안내

내보내기 메뉴

내보내기 구분

파일저장
인쇄
메일전송

구성항목

기본정보
상세정보

관리번호, 논문명, 저널/프로시딩명, 저자 , 발행년, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, 발행기관

저장형식

Text(ASCII format)
Excel format
RefWorks Direct Export
RIS format (for Reference Manager, ProCite, EndNote), Scholar's Aids, Mendeley

메일정보

받는사람 (필수): @
보내는사람 (선택): @
제목
내용: KISTI 검색결과 이메일 서비스

안내

총 건의 자료가 검색되었습니다.

다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000)

검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다.

데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요)

다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다.
파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오.

Text(ASCII format)
Excel format

표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

AI-Helper ※ AI-Helper는 을 사용합니다.

AI-Helper

안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

연합인증