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[해외논문] Switching performance comparison between conventional SOT and STT-SOT write schemes with effect of shape deformation 원문보기

AIP advances, v.11 no.1, 2021년, pp.015035 -   

Byun, J. (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology , Daejeon 34141, South Korea) ,  Kang, D. H. (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology , Daejeon 34141, South Korea) ,  Shin, M. (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology , Daejeon 34141, South Korea)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We demonstrate the effect of shape deformation in spin-orbit torque magnetoresistive random access memory (SOT-MRAM) based on micromagnetic simulation by generating 1000 randomly deformed samples using the exponentially decaying autocorrelation function. The conventional in-plane magnetic field-assi...

참고문헌 (26)

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