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[해외논문] Current reused CMOS RF‐DAC for IoT applications

Microwave and optical technology letters, v.63 no.12, 2021년, pp.2991 - 2996  

Jeong, Gwanghyeon (Department of Information and Communication Engineering, Hannam University, Daejeon, Republic of Korea) ,  Hong, Songcheol (Department of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, Republic of Korea)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

AbstractA current reused CMOS RF‐DAC with complementary current control, quadrature LO chain, and adaptive body injection mixer is presented in 0.18‐μm bulk CMOS process. The complementary current control leads to achieve good linearity by reducing the variation of output impedance. T...

Keyword

#adaptive body injection   #CMOS RF‐DAC   #current reused  

참고문헌 (9)

  1. Lin J , Yu W , Zhang N , Yang X , Zhang H , Zhao W . A survey on internet of things: architecture, enabling technologies, security and privacy, and applications . IEEE IoT J . 2017 ; 4 ( 5 ): 1125 ‐ 1142 . 

  2. Eloranta P , Seppinen P , Kallioinen S , Saarela T , Parssinen A . A multimode transmitter in 0.13um CMOS using direct‐digital RF Modulator . IEEE J Solid State Circuits . 2007 ; 42 ( 12 ): 2774 ‐ 2784 . 

  3. Agah A , Wang W , Asbeck P , Larson L , Buckwalter J . A 42 to 47‐GHz, 8‐bit I/Q Digital‐to‐RF Converter with 21‐dBm Psat and 16% PAE in 45‐nm SOI COS. in Proceedings of the IEEE RFIC Symposium ; 2013 : 249 ‐ 252 . 

  4. He X , Sinderen JV . A low‐power low‐EVM, SAW‐less WCDMA transmitter using direct quadrature voltage modulation . IEEE J Solid State Circuits . 2009 ; 44 ( 12 ): 3448 ‐ 3458 . 

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  5. Presti CD , Carrara F , Scuderi A , Asbeck PM , Palmisano G . A 25 dBm digitally modulated CMOS power amplifier for WCDMA/EDGE /OFDM with adaptive digital predistortion and efficient power control . IEEE J Solid State Circuits . 2009 ; 44 ( 7 ): 1883 ‐ 1896 . 

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  6. Yoo SM , Walling JS , Woo EC , Jann B , Allstot DJ . A switched‐capacitor RF power amplifier . IEEE J Solid State Circuits . 2011 ; 46 ( 12 ): 2977 ‐ 2987 . 

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  7. Choi H , Lee Y , Hong S . A digital polar CMOS power amplifier with a 102‐dB power dynamic range using a digitally controlled bias generator . IEEE Trans Microw Theory Tech . 2014 ; 62 ( 3 ): 579 ‐ 589 . 

  8. Chowdhury D , Ye L , Alon E , Niknejad AM . An efficient mixed‐signal 2.4‐GHz polar power amplifier in 65‐nm CMOS technology . IEEE J Solid State Circuits . 2011 ; 46 ( 8 ): 1796 ‐ 1809 . 

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  9. Reynaert P , Steyaert MSJ . A 1.75‐GHz polar modulated CMOS RF power amplifier for GSM‐EDGE . IEEE J Solid State Circuits . 2005 ; 40 ( 12 ): 2598 ‐ 2608 . 

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