최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Optics letters, v.46 no.16, 2021년, pp.3877 -
Lee, Hyun-Jin (i3system, Inc.) , Jang, Ahreum (i3system, Inc.) , Kim, Young Ho (i3system, Inc.) , Jung, Han (i3system, Inc.) , Bidenko, Pavlo (Korea Advanced Institute of Science and Technology) , Kim, Sanghyeon (Korea Advanced Institute of Science and Technology) , Kim, Minje (Chungnam National University) , Nah, Junghyo (Chungnam National University)
The barrier layer in InAs/GaSb LWIR nBn detector is usually composed of AlGaSb alloy, which has a non-negligible valence band offset and is sensitive to chemical solutions. In this work, we investigated a type-II superlattice (T2SL) barrier that is homogeneous with the T2SL absorber layer in order t...
Antimonide-based Infrared Detectors-A New Perspective Rogalski 2019
Appl. Opt. Findlay 28 5029 1989 10.1364/AO.28.005029
IEEE Trans. Aerosp. Electron. Syst. Kim 52 5 2016 10.1109/TAES.2016.150513
IBM J. Res. Dev. Esaki 14 61 1970 10.1147/rd.141.0061
Appl. Phys. Lett. Sai-Halasz 30 651 1977 10.1063/1.89273
J. Electron. Mater Kutty 39 2203 2010 10.1007/s11664-010-1242-0
J. Phys. D Salihoglu 45 365102 2012 10.1088/0022-3727/45/36/365102
Appl. Phys. Lett. Rodriguez 91 043514 2007 10.1063/1.2760153
Opt. Eng. Martyniuk 53 106105 2014 10.1117/1.OE.53.10.106105
IEEE J. Quantum Electron. Khoshakhlagh 46 959 2010 10.1109/JQE.2010.2041635
Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials & Devices Martyniuk 2014
IEEE Electron Dev. Lett. Martyniuk 37 64 2016 10.1109/LED.2015.2497579
Infrared Phys. Technol. Lee 94 161 2018 10.1016/j.infrared.2018.09.009
Phys. Procedia Razeghi 3 1207 2010 10.1016/j.phpro.2010.01.164
J. Appl. Phys. Vurgaftman 89 5815 2001 10.1063/1.1368156
Infrared Phys. Technol. Klipstein 59 53 2013 10.1016/j.infrared.2012.12.009
해당 논문의 주제분야에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.