최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Cryogenics, v.36 no.5, 1996년, pp.325 - 331
Sreelakshmi, K. (Devices Laboratory, Department of Electrical Communication Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 560 012, India) , Satyam, M. (Devices Laboratory, Department of Electrical Communication Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 560 012, India)
AbstractThis paper describes the measured electrical characteristics of JFETs in the temperature range from 300 K to 20 K. Also explained is an attempt to compute these characteristics at any temperature lower than 300 K knowing the characteristics at room temperature....
IEEE Circuits Device Magazine Kirschman 3 12 1990 10.1109/101.46054 Low temperature electronics
Cryogenics Vanduzer 28 527 1988 10.1016/0011-2275(88)90165-8 Superconductor-semiconductor hybrid devices, circuits and sytems
Cryogenics Lengeier 14 439 1974 10.1016/0011-2275(74)90206-9 Semiconductor devices suitable for use in cryogenic environments
Van der Zeil 50 1808 1962 Thermal noise in field effect transistors
IEEE Trans. Electron Devices Sesnic 19 933 1972 10.1109/T-ED.1972.17522 Thermal effects in JFET and MOSFET devices at cryogenic temperatures
Cryogenics Nawrocki 28 394 1988 10.1016/0011-2275(88)90038-0 Silicon junction field effect transistors at 4.2 K
Sze 1981
Cobbold 1965
10.1063/1.1657427 Rodriguez, V. and Nicolet, M.A. Drift velocity of electrons in silicon at high electric fields from 4.2 K to 300 K J Appl Phys (19) 40 496-498
Satyam 1990
Cobbold 111 1981 1964 Theory and application of FETs: Part I. Theory and DC characteristics
Smith, R.A. Semiconductors Cambridge University Press.
해당 논문의 주제분야에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.