[논문]A stable TiN reactive sputtering deposition process

doi:10.1016/0169-4332(89)90551-5

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A stable TiN reactive sputtering deposition process

Applied surface science, v.38 no.1/4, 1989년, pp.304 - 311

Circelli, N. (ST Microelectronics, via Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza, Italy) , Queirolo, G. (ST Microelectronics, via Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza, Italy)

Abstract ▼ AI-Helper

Abstract Titanium nitride is widely used in VLSI devices as diffusion barrier in Al-based metallization. TiN is usually obtained by reactive sputtering of Ti in argon/nitrogen atmosphere. The film properties strongly depend on the deposition conditions; with stoichiometry, in particular, being critically affected by both nitrogen partial pressure and Ti deposition rate. These two parameters influence each other and their optimization and control is an essential and non-straightforward prerequisite for a reliable process. In this work we report the results of characterization work performed using RGA, AES and XRD with the aim of finding the deposition conditions which ensure a stable process. An operational “safe” area in the target applied power/nitrogen flow rate domain was identified where stoichiometric TiN films of good quality were always obtained. The “safe” operational area is a characteristic of the sputtering equipment used, but the method outlined in this work is of general validity.

참고문헌 (12)

Thin Solid Films Wittmer 93 397 1982 10.1016/0040-6090(82)90145-6

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Thin Solid Films Sundgren 105 353 1983 10.1016/0040-6090(83)90318-8

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J. Vacuum Sci. Technol. A Noel 2 284 1984 10.1116/1.572582

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Thin Solid Films Ellwanger 161 289 1988 10.1016/0040-6090(88)90261-1

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J. Vacuum Sci. Technol. A Berg 5 202 1987 10.1116/1.574104

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Surface Sci. Sundgren 128 265 1983 10.1016/S0039-6028(83)80031-4

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Thin Solid Films Spencer 158 141 1988 10.1016/0040-6090(88)90310-0

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J. Appl. Phys. Berg 63 887 1988 10.1063/1.340030

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Thin Solid Films Sundgren 105 385 1983 10.1016/0040-6090(83)90320-6

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J. Vacuum Sci. Technol. Bland 11 671 1974 10.1116/1.1312733

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Thin Solid Films Pointevin 97 67 1982
J. Vacuum Sci. Technol. Thornton 11 666 1974 10.1116/1.1312732

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