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NTIS 바로가기Applied surface science, v.38 no.1/4, 1989년, pp.304 - 311
Circelli, N. (ST Microelectronics, via Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza, Italy) , Queirolo, G. (ST Microelectronics, via Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza, Italy)
Abstract Titanium nitride is widely used in VLSI devices as diffusion barrier in Al-based metallization. TiN is usually obtained by reactive sputtering of Ti in argon/nitrogen atmosphere. The film properties strongly depend on the deposition conditions; with stoichiometry, in particular, being criti...
Thin Solid Films Wittmer 93 397 1982 10.1016/0040-6090(82)90145-6
Thin Solid Films Sundgren 105 353 1983 10.1016/0040-6090(83)90318-8
J. Vacuum Sci. Technol. A Noel 2 284 1984 10.1116/1.572582
Thin Solid Films Ellwanger 161 289 1988 10.1016/0040-6090(88)90261-1
J. Vacuum Sci. Technol. A Berg 5 202 1987 10.1116/1.574104
Surface Sci. Sundgren 128 265 1983 10.1016/S0039-6028(83)80031-4
Thin Solid Films Spencer 158 141 1988 10.1016/0040-6090(88)90310-0
J. Appl. Phys. Berg 63 887 1988 10.1063/1.340030
Thin Solid Films Sundgren 105 385 1983 10.1016/0040-6090(83)90320-6
J. Vacuum Sci. Technol. Bland 11 671 1974 10.1116/1.1312733
Thin Solid Films Pointevin 97 67 1982
J. Vacuum Sci. Technol. Thornton 11 666 1974 10.1116/1.1312732
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